"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние глубоких центров, введенных в GaAs1-xPx ионной имплантацией и электронным облучением, на спектральные характеристики фоточувствительных структур
Кольцов Г.И., Юрчук С.Ю.
Выставление онлайн: 19 сентября 1989 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.