Проведены исследования влияния одноосной деформации на гальваномагнитные явления в разбавленных магнитных полупроводниках p-HgMnTe с varepsilon_g>0 в магнитных полях до 55 кЭ (без деформации до 200 кЭ) при T=1.7-77 K. Показано, что в отсутствие магнитного поля одноосная деформация в HgMnTe, так же как в InSb и HgCdTe, приводит к уменьшению энергии ионизации акцепторов. В магнитном поле зависимости коэффициента Холла и удельного сопротивления в HgMnTe радикально отличаются от зависимостей, наблюдаемых в немагнитных полупроводниках. Это связано с влиянием на энергетический спектр свободных дырок обменного взаимодействия с ионами Мn²⁺, имеющими нескомпенсированный магнитный момент. Основные особенности гальваномагнитных эффектов объясняются при описании энергетического спектра HgMnTe в k \hat p-модели с учетом обменного взаимодействия в приближении эффективного молекулярного поля и одноосной деформации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.