Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О фотоэлектрическом усилении варизонными фоторезисторами
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина 
Поступила в редакцию: 6 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.
Теоретически рассмотрены особенности фотоэлектрического усиления варизонных фоторезисторов с линейно увеличивающейся к контактам шириной запрещенной зоны. Показано, что в таких фоторезисторах реализуется немонотонная полевая зависимость коэффициента фотоэлектрического усиления, максимальное значение которого увеличивается с ростом градиента ширины запрещенной зоны и может существенно превышать соответствующее значение для однородных образцов.
- R.L. Williams. Infr. Phys., 8, 337 (1968)
- C.B. Burgett, R.L. Williams. Infr. Phys., 13, 61 (1972)
- M.R. Johnson. J. Appl. Phys., 43, 3090 (1972)
- T. Ashley, C.T. Elliott. Infr. Phys., 22, 367 (1982)
- D.L. Smith, D.K. Arch, R.A. Wood, M. Walter Scott. Appl. Phys. Lett., 45, 83 (1983)
- D.K. Arch, R.A.Wood. J. Appl. Phys., 58, 2360 (1985)
- О.Г. Кондратьева, Л.Н. Неустроева, В.В. Осипов. ФТП, 22, 2131 (1988)
- О.Г. Кондратьева, Л.Н. Неустроева, В.В. Осипов. ФТП, 23, 536 (1989)
- О.В. Константинов, Г.В. Царенков. ФТП, 10, 720 (1976)
- В.Г. Савицкий, Б.С. Соколовский. УФЖ, 25, 1919 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
