Проведены измерения электрических характеристик и фотоэдс на диодных структурах Pd-p⁰-Si-p-Si с разупорядоченным (пористым) p⁰-слоем Si. Предполагаемый механизм токопереноса - двойная инжекция электронов и дырок в p⁰-слой. В атмосфере водорода фотоэдс возрастает в 20 раз; обратный ток падает в 3-4 раза. Рост фотоэдс связан с ростом барьера Шоттки Pd-p⁰-Si, а падение темнового тока - с изменением коэффициента инжекции электронов. Релаксация фотоэдс после выключения потока H₂ имеет два временных интервала длительностью порядка 130 и 420 с. Показано, что эти особенности релаксации связаны с гетерогенностью структуры p⁰-слоя, включающего в себя как неанодизированные участки, так и пористые. Эти области структуры содержат свой набор глубоких центров захвата и рекомбинации, и этот набор может изменяться под действием водорода, создающего индуцированные "временные" глубокие уровни.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.