"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Аккумуляция носителей и сильные приэлектродные поля в освещаемых высокоомных МДПДМ структурах
Резников Б.И.1, Царенков Г.В.1
1Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

Теоретически исследовано влияние туннельной прозрачности диэлектрического слоя Tn,p на распределение электрического поля и зависимость ток-интенсивность j-Ii в чистой высокоомной сильно смещенной структуре металл--диэлектрик--полупроводник--диэлектрик металл (МДПДМ). Показано, что с уменьшением Tn,p носители аккумулируются вблизи электродов противоположной полярности, и их плотность резко возрастает в слоях толщиной порядка lk=kT/eEe (Ee=V/d). Определена область параметров, в которой эффекты аккумуляции столь велики, что поле вблизи электродов заметно растет, и его значения существенно превышают среднее поле. Зависимость тока от прозрачности определяется барьером Шоттки. При умеренных полях, если фототок много больше темнового, плотность тока с уменьшением Tn,p слабо растет, стремясь к максимальному значению eIi. При сильных полях ток резко растет из-за инжекции носителей через пониженный потенциальный барьер.
  • П.Г. Кашерининов, Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 26, 1480 (1992)
  • Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 27, 1262 (1993)
  • Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 28, 242 (1994)
  • Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 28, 867 (1994)
  • Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 28, 1788 (1994)
  • Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 29, 1430 (1995)
  • Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 29, 2189 (1995)
  • M.A. Green, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 17, 349 (1974)
  • А.А. Саченко, О.В. Снитко. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников (Киев, Наук. думка, 1984)
  • Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 25, 1922 (1991)
  • В.И. Стриха. Теоретические основы работы контакта металл--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1974) с. 36
  • J.G. Simmons, G.W. Taylor. Sol. St. Electron., 29, 287 (1986)
  • А.А. Гуткин, В.Е. Седов. ФТП, 10, 1589 (1976)
  • Н. Мотт, Р. Герни. Электронные процессы в ионных кристаллах (М., ИИЛ, 1950) с. 194
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.