"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Структурное совершенство эпитаксиальных слоев 3C-SiC, выращенных методом вакуумной сублимации на подложках 6H-SiC
Андреев А.Н.1, Смирнова Н.Ю.1, Трегубова А.С.1, Щеглов М.П.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

Изучалось влияние технологических параметров на структурное совершенство эпитаксиальных слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 6H-SiC методом вакуумной сублимации. Показано, что при постоянной температуре и использовании практически неразориентированных подложек уменьшение скорости роста ведет к увеличению размеров двойниковых областей в пленках и уменьшению общей дефектности структур 3C/6H. Получены эпитаксиальные слои 3C-SiC с плотностью дефектов 101/102rmсм-2 и площадью двойников до 6 мм2.
  • Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.В. Семенов, В.И. Соколов. В сб.: Широкозонные полупроводники (Л., 1979) с. 164
  • D.K. Ferry. Phys. Rev. B, 12, 2361 (1979)
  • V. Shields, K. Fekade, M. Spencer. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf., Ser., 137, 21 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
  • H. Matsunami, S. Nishino, H. Ono, IEEE Trans. Electron. Dev., ED-28, 1235 (1981)
  • J.A. Powell, J.B. Petit, L.G. Matus, S.E. Lempner. Proc. 3rd Int. Conf. on Amorph. and Cryst. SiC [Springer Proc. Phys., 56, 313 (1992)]
  • K.Nishino, T. Kimoto, H. Matsunami. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 33 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
  • J. Yang, S. Nishino, J. Powell, D. Pizouz. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 25 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
  • K. Furukawa, Y. Tajima, H. Saito, Y. Fujii. Japan. J. Appl. Phys., 32, L645
  • J.A. Powell, D.J. Larkin. J.B. Petit, J.H. Edgar. Proc. 4th Int. Conf. on Amorph. and Cryst. SiC [Springer Proc. Phys. 71, 23 (1993)]
  • H. Matsunami. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 45 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
  • А.Ю. Максимов, А.А. Мальцев, Н.К. Юшин. Письма ЖТФ, 20, 50 (1994)
  • M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk. Mater. Sci. Eng. B, 11, 113 (1992)
  • М.М. Аникин, Н.Б. Гусева, В.А. Дмитриев, А.Л. Сыркин. Изв. АН СССР. Неорг. Матер., 10, 1768 (1984)
  • М.Г. Рамм, Е.Н. Мохов, Р.Г. Веренчикова. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 15, 2233 (1979)
  • А.О. Константинов, Е.Н. Мохов. Письма ЖТФ, 7, 247 (1981).
  • A.N. Andreev, N.Yu. Smirnova, A.S. Tregubova, M.P. Scheglov, V.E. Chelnokov. Proc. 6th SiC and Related Materials Conf. (Kyoto, 1995)
  • J.A. Powell, J.B. Petit, J.B. Edgar, I.G. Jenkins, L.G. Matus, J.W. Yang, P. Pirouz, W.J. Choyke, L. Clemen, M. Yoganathan. Appl. Phys. Lett., 59, 333 (1991)
  • T. Kimoto, H. Matsunami. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 95 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
  • H. Matsunami. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 45 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
  • T. Kimoto, H. Matsunami. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 55 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
  • A. Iton, H. Akita, T. Kimoto, H. Matsunami. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 5 (Bristol and Philadelphia, 1994)].
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.