Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности низкотемпературной термоэдс p-BiTe₃ и Te при электронно-топологических переходах под давлением

Ицкевич Е.С.¹, Каширская Л.М.¹, Крайденов В.Ф.¹

¹Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, Троицк, Москва, Россия Institute for High Pressure Physics, Russian Academy of Sciences, Troitsk, Moscow, Russia

Institute for High Pressure Physics, Russian Academy of Sciences, Troitsk, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 9 января 1996 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены измерения термоэдс узкозонных полупроводников p-rmBi₂rmTe₃ и Te при гидростатическом давлении до 2.5 ГПа при гелиевых температурах. Наблюдавшиеся зависимости коррелируют с данными, полученными при исследовании осцилляций Шубникова-де-Гааза. Это позволяет использовать термоэдс для поиска электронно-топологических переходов в полупроводниках.

Н.Б. Брандт, В.С. Егоров, М.Ю. Лавренюк, Н.Я. Минина, А.М. Савин. ЖЭТФ, 89, 1157 (1985)
М.Ю. Лавренюк, Н.Я. Минина, А.М. Савин. Письма ЖЭТФ, 46, 224 (1987)
Н.Б. Брандт, М.Ю. Лавренюк, Н.Я. Минина, А.М. Савин. ЖЭТФ, 94, 235 (1988)
Л.А. Киракозова, М.Ю. Лавренюк, Н.Я. Минина, А.М. Савин. ФТТ, 30, 666 (1988)
В.Ф. Крайденов, Е.С. Ицкевич, А.Г. Гапотченко. ФТТ, 37, 405 (1995)
В.В. Сологуб, М.Л. Шубников, Е.С. Ицкевич, Л.М. Каширская, Р.В. Парфеньев, А.Д. Голецкая. ЖЭТФ, 79, 2374 (1980)
V.B. Anzin, M.S. Bresler, I.I. Farbstein, E.S. Itskewich, Yu.V. Kosichkin, V.A. Sukhoparov, A.S. Telepnev, V.G. Veselago. Phys. St. Sol. (b), 48, 531 (1971)
С.Г. Ляпин. Автореф. канд. дис. (М., 1988) с. 78
С.Л. Будько, А.Г. Гапотченко, Е.С. Ицкевич, В.Ф. Крайденов. ПТЭ, N 2, 205 (1977)
В.В. Сологуб, Р.В. Парфеньев, А.Д. Голецкая. Письма ЖЭТФ, 21, 711 (1975)
А.Д. Голецкая, В.В. Сологуб, С.С. Шалыт. ФТП, 5, 477 (1971)
А.А. Абрикосов, А.В. Панцулая. ФТТ, 28, 2140 (1986)
И.М. Суслов. Письма ЖЭТФ, 46, 26 (1987).
V.B. Anzin, M.I. Eremets, Yu.V. Kosichkin, A.I. Nadezhdinskii, A.M. Shirokov. Phys. St. Sol. (a), 42, 385 (1977).
И.Н. Тимченко, С.С. Шалыт. ФТП, 4, 934 (1962)
М.В. Глушков, Е.С. Ицкевич, Ю.В. Косичкин, А.Н. Толмачев, А.М. Широков. ФТТ, 19, 3580 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель