Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние упругих напряжений на характер эпитаксиальной кристаллизации (Hg,Mn)Te

Каверцев С.В.¹, Беляев А.Е.¹

¹Инсититут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 12 мая 1996 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Существующие экспериментальные данные относительно состава и условий кристаллизаци полупроводниковых твердых растворов Hg_1-zMn_zTe, эпитаксиально выращиваемых на подложке Cd(Zn)Te, обнаруживают ряд особенностей, позволяющих говорить о существенном влиянии подложки на характер кристаллизации твердой фазы. В нашей работе данные жидкофазной эпитаксии Hg_1-zMn_zTe рассматриваются в свете возможного влияния на состав и условия кристаллизации упругих напряжений, возникающих вследствие несоответствия параметров кристаллической решетки подложки и эпитаксиального слоя. Основным инструментом исследования является термодинамический анализ метастабильного равновесия между напряженной твердой фазой и пересыщенным раствором компонент.

Н.Н. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение: Справочные таблицы (М., Воениздат, 1982)
М.А. Данилов, А.М. Литвак, К.Е. Миронов. Неорг. матер., 28, 1860 (1992)
А.Е. Беляев, С.А. Витусевич, С.М. Комиренко, С.В. Каверцев, Г.И. Жовнир, Л.В. Рашковецкий. УФЖ, 41, 340 (1996)
Г.И. Жовнир, С.В. Клецкий, Н.В. Сочинский, В.М. Фрасуняк. Неорг. матер., 25, 1216 (1989)
А.М. Андрухив, А.М. Литвак, К.Е. Миронов. Неорг. матер., 29, 492 (1993)
T. Tung, C.-H. Su, P.-K. Liao, R.F. Brebrick. J. Vac. Sci. Technol., 21, 117 (1982)
В.В. Кузнецов, П.П. Масквин, В.С. Сорокин. Неравновесные явления при гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов (М., Металлургия, 1991)
C.-H. Su, P.-K. Liao, T. Tung, R.F. Brebrick. High Temp. Sci., 14, 181 (1981)
R. Dornhaus, G. Nimtz. In: Narrow gap semiconductors, ed. by R. Dornhaus, G. Nimtz, B. Schlicht (Springer Verlag, Berlin e.a., 1983) p. 121

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель