Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние X-долины на туннелирование и время жизни электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 11 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.
В приближении эффективной массы вычислены вероятность туннелирования электрона через треугольный барьер и время жизни его в квантовой яме рядом с гетеробарьером GaAs/AlAs, образованной сильным электрическим полем. Показано, что для таких структур вероятность туннелирования в X-долину может на несколько порядков превышать вероятность туннелирования в Gamma-долину. Время жизни электрона в квазистационарном состоянии перед гетеробарьером также в основном определяется туннелированием в X-долину и составляет ~10-13-10-11 c в полях E~105-106 В/см.
- K. Hess, T.K. Higman, M.A. Emanuel, J.J. Coleman. J. Appl. Phys., 60, 3775 (1986)
- А.М. Белянцев, Ю.Ю. Романова. ФТП, 29, 1408 (1995)
- H.C. Liu. Appl. Phys. Lett., 51, 1019 (1987)
- Yu. Zhang, H. Zheng. Appl. Phys. Lett., 65, 1036 (1994)
- J.A. Stovneng, P. Lipavsky. Phys. Rev. B, 49, 16494 (1994)
- В.М. Галицкий, Б.М. Карнаков, В.И. Коган. Задачи по квантовой механике (М., Наука, 1981) с. 177
- А.И. Базь, Я.Б. Зельдович, А.М. Переломов. Рассеяние, реакции и распады в нерелятивистской механике (М., Наука, 1966) с. 162
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
