Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg_1-xCd_xTe (x=0.22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Войцеховский А.В.¹, Денисов Ю.А.¹, Коханенко А.П.¹, Варавин В.С.², Дворецкий С.А.², Либерман В.Т.², Михайлов Н.Н.², Сидоров Ю.Г.²

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 1 июля 1996 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приводятся результаты измерений времени жизни носителей заряда в эпитаксиальных структурах на основе узкозонного Hg_1-xCd_xTe (x=0.22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при импульсном возбуждении излучением на различных длинах волн. Показано, что в эпитаксиальных пленках p-типа проводимости время жизни определяется оже-механизмом рекомбинации в области температур, соответствующих примесной проводимости, а для эпитаксиальных пленок n-типа характерна рекомбинация через локальные центры.

А.В. Войцеховский, В.Н. Давыдов. Фотоэлектрические МДП структуры из узкозонных полупроводников (Томск, Радио и связь, 1990) с. 382
В.А. Кемарский, Н.А. Кульчицкий. В сб.: Обзорная информация. Обзор N 5207, ч. 2, с. 3 (1990)
А.В. Войцеховский, И.И. Ижнин, Н.А. Кульчицкий, В.А. Кемарский. В сб.: Зарубежная электронная техника (М., ЦНИИ "Электроника", 1992) N 12, с. 3
V.C. Lopes, A.G. Syllaics, N.C. Chen. Semicond. Sci. Technol., 8, 824 (1993)
M.E. de Souza, M. Boukerche, J.P. Faurie. J. Appl. Phys., 68, 5195 (1990)
S.N. Shin, J.M. Arias, M. Zandian, J.G. Pasko, R.E. DeWames. Appl. Phys. Lett., 59, 2718 (1991)
В.С. Варавин, Ю.Г. Сидоров, В.Г. Ремесник, С.И. Чикичев, И.Е. Нис. ФТП, 78, 577 (1994)
K.N. Svitashev, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, V.A. Shvets, A.S. Mardezhov, I.E. Nis, V.S. Varavin, V.I. Liberman, V.G. Remesnik. Cryst. Res. Technol., 29, 931 (1994)
В.Н. Овсюк, В.В. Васильев, Т.И. Захарьяш, В.Г. Ремесник, С.В. Студеникин, Н.Х. Сусляков, Н.Х. Талипов, Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.И. Либерман, В.С. Варавин. ФТП, 2, 193 (1996)
A.V. Voitsekhovskii, Yu.V. Lilenko. Phys. St. Sol. (a), 67, 381 (1981)
А.В. Войцеховский. Изв. вузов. Физика, 37, 99 (1994)
А.В. Войцеховский, Ю.В. Лиленко. Деп. ВИНИТИ, N 5200-81Деп., с. 36 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель