Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Измерение длины диффузии неосновных носителей заряда с использованием реальных барьеров Шоттки

Дмитрук Н.Л.¹, Борковская О.Ю.¹, Мамыкин С.В.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 7 августа 1996 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проанализированы особенности полевой зависимости фототока короткого замыкания реальных барьеров Шоттки на основе сильно легированного полупроводника в условиях осциллирующей зависимости коэффициента поглощения света alpha от напряженности поля в области пространственного заряда и энергии квантов (hnu>E_g). Получено аналитическое выражение для зависимости фототока от толщины области пространственного заряда W при условии alpha W<< 1. Предложена усовершенствованная методика определения длины диффузии неосновных носителей заряда из анализа зависимостей I_p(W) в спектральной области, удовлетворяющей условиям применимости полученных выражений. Проведены также некоторые усовершенствования метода выделения емкости области пространственного заряда из высокочастотной емкости реального барьера Шоттки. Метод опробован на структурах Аu-GaAs с N_d=(4.5· 10¹⁶/ 1· 10¹⁸) см^-3. Независимая проверка метода определения L проведена на основе теоретического описания спектральной зависимости квантовой эффективности структуры.

В.А. Тягай. ФТТ, 6, 1260 (1964)
Н.Л. Дмитрук, А.К. Терещенко. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, вып. 4, 68 (1972)
О.Ю. Борковская, Н.Л. Дмитрук, М. Дубовински, Р.В. Конакова, О.Н. Мищук, Ю.А. Тхорик, П. Кардош, Ф. Штофаник. Elektrotechn. Cas., 40, 877 (1989)
Н.Л. Дмитрук, О.Ю. Борковская, О.Н. Мищук, Я. Чарыев. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, вып. 1, 210 (1991)
J. Callaway. Phys. Rev., 134, A998 (1964)
J. Darantes-Davila, A. Lastras-Martinez, P.M. Raccah. Appl. Phys. Lett., 38, 442 (1981)
Н.Л. Дмитрук, А.К. Терещенко, О.И. Маева, В.И. Ляшенко, А.М. Раскевич. ФТП, 7, 671 (1973)
N. Nottka, B.O. Seraphin. Phys. Rev. A, 139, A560 (1965)
В.А. Тягай, О.В. Снитко. Электроотражение света в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1980)
О.Ю. Борковская, Н.Л. Дмитрук, А.Н. Зюганов, 4, 82 (1983)
Н.Л. Дмитрук, О.В. Фурсенко, О.Ю. Борковская. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 27, 115 (1994)
P.B. Johnson, R.W. Christi. Phys. Rev. B, 6, 4370 (1972)
D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27, 985 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель