Влияние лазерного облучения на фотопроводимость и шумы в монокристаллах n-CdxHg1-xTe
Власенко А.И.1, Гнатюк В.А.1, Копишинская Е.П.1, Мозоль П.Е.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 24 сентября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.
Исследовано влияние лазерного излучения наносекундной длительности на фотопроводимость и 1/f-шум в кристаллах CdxHg1-xTe. Показано, что лазерное облучение вызывает снижение фоточувствительности образцов и коротковолновый сдвиг максимума и длинноволнового края спектра фотопроводимости. Усиление 1/f-шума по интенсивности и частоте связано с возрастанием дефектности материала под действием лазерного облучения.
- Б.Д. Луфт. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников (М., Радио и связь, 1982)
- В.В. Дякин, В.В. Коваль, А.В. Любченко, Е.А. Сальков, В.Г. Чалая. Неорг. матер., 25, 1645 (1989)
- И.С. Вирт, А.В. Любченко, П.Е. Мозоль, В.А. Гнатюк. ФТП, 23, 1386 (1989)
- С.Г. Гасан-заде, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский. ФТП, 17, 1913 (1983)
- А.И. Власенко, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. УФЖ, 25, 434 (1980)
- А.И. Власенко, В.В. Горбунов, А.В. Любченко. УФЖ, 29, 423 (1984)
- И.С. Бакши, В.Ф. Гринь, Л.А. Карачевцева, Т.З. Кодалашвили, Е.А. Сальников, Б.И. Хижняк. ФТП, 23, 571 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук