"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Изменение оптических свойств пористого кремния вследствии термического отжига в вакууме
Киселев В.А.1, Полисадин С.В.1, Постников А.В.1
1Институт микроэлектроники Российской академии наук, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 4 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

Определены оптические константы слоев пористого кремния в диапазоне 600/800 нм и исследовано влияние на них термического отжига в вакууме. Изменение комплексного показателя преломления связано с десорбцией реагентов и продуктов электрохимической обработки кремния. Установлено, что при нагреве до 600 oC температурный коэффициент изменения отражения слоя пористого кремния на длине волны 633 нм не превышает 10-6.
  • G.G. Qin, I.Q. Jia. Sol. St. Commun., 86, 559 (1993)
  • J. Kanemitsu, H. Uto, J. Masumoto. Phys. Rev. B, 48, 2827 (1993)
  • F. Koch, V. Petrova-Koch, T. Muschik, A. Nicolov, V. Gavrilenko. Mater. Res. Soc. Symp., 283, 197 (1993)
  • H.D. Fuchs, M. Stutzmann, M.S. Brandt, M. Rosenbauer, J. Weber, A. Breitchwerdt, P. Deak, M. Cardona. Phys. Rev. B, 48, 8172 (1993)
  • V.A. Kisilev, A.A. Chrebtugov, A.B. Churilov. SPIE Proc. Int. Conf. Microelectronics-92 (Warsaw, Poland, 1992) v. 1783, p. 378
  • V. Lehmann, U. Gosele. Appl. Phys. Lett., 58, 856 (1991)
  • N. Ookubo, H. Ono, Y. Ochial, Y. Mochizuki, S. Matsui. Appl. Phys. Lett., 61, 940 (1992).
  • Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. Поверхность, вып. 2, 32 (1996)
  • В.К. Громов. Введение в эллипсометрию (Л., Изд-во ЛГУ, 1986)
  • Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках, (М., Наука, 1973)
  • M.I.J. Beale. J. Crysr. Growth, 73, 622 (1985)
  • В.А. Лабунов, В.П. Бондаренко, Л.К. Глиненко, И.Н. Басманов. Микроэлектроника, 12, 11 (1983)
  • J.J. Yon, K. Barla, R. Herino, G. Bomchil. J. Appl. Phys. 62, 1042 (1987)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.