Определены оптические константы слоев пористого кремния в диапазоне 600/800 нм и исследовано влияние на них термического отжига в вакууме. Изменение комплексного показателя преломления связано с десорбцией реагентов и продуктов электрохимической обработки кремния. Установлено, что при нагреве до 600 oC температурный коэффициент изменения отражения слоя пористого кремния на длине волны 633 нм не превышает 10-6.
G.G. Qin, I.Q. Jia. Sol. St. Commun., 86, 559 (1993)
J. Kanemitsu, H. Uto, J. Masumoto. Phys. Rev. B, 48, 2827 (1993)
F. Koch, V. Petrova-Koch, T. Muschik, A. Nicolov, V. Gavrilenko. Mater. Res. Soc. Symp., 283, 197 (1993)
H.D. Fuchs, M. Stutzmann, M.S. Brandt, M. Rosenbauer, J. Weber, A. Breitchwerdt, P. Deak, M. Cardona. Phys. Rev. B, 48, 8172 (1993)
V.A. Kisilev, A.A. Chrebtugov, A.B. Churilov. SPIE Proc. Int. Conf. Microelectronics-92 (Warsaw, Poland, 1992) v. 1783, p. 378
V. Lehmann, U. Gosele. Appl. Phys. Lett., 58, 856 (1991)
N. Ookubo, H. Ono, Y. Ochial, Y. Mochizuki, S. Matsui. Appl. Phys. Lett., 61, 940 (1992).
Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. Поверхность, вып. 2, 32 (1996)
В.К. Громов. Введение в эллипсометрию (Л., Изд-во ЛГУ, 1986)
Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках, (М., Наука, 1973)
M.I.J. Beale. J. Crysr. Growth, 73, 622 (1985)
В.А. Лабунов, В.П. Бондаренко, Л.К. Глиненко, И.Н. Басманов. Микроэлектроника, 12, 11 (1983)
J.J. Yon, K. Barla, R. Herino, G. Bomchil. J. Appl. Phys. 62, 1042 (1987)