Исследованы спектры фотопроводимости квантово-размерных структур, состоящих из 50 чередующихся слоев Ga_xIn_1-xAs (x=0.47) толщиной 7/12 нм, образующих квантовые ямы, и InP-барьеров, толщиной 10/ 15 нм. В структурах высокого качества наблюдались характерные экситонные пики 11H, 11L, 13H, 22H, 22L. Для 11H-экситона обнаружена сильная температурная зависимость, в то время как для остальных экситонов она не проявлялась. Это объясняется тем, что 11H-состояние экситона попадает в область запрещенных значений энергий для свободных носителей, в то время как остальные состояния являются резонансными и перекрываются со сплошным спектром. Найденная энергия температурной активации фотопроводимости 150± 30 мэВ существенно превышает энергию связи экситона и близка к глубине потенциальной ямы для электронов. Это показывает, что фоточувствительность обусловлена надбарьерным переносом носителей заряда, а туннельный перенос между ямами пренебрежимо мал.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.