"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Глубокие центры и отрицательный температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основе SiC
Лебедев А.А.1, Ортоланд С.2, Реноуд К.2, Локателли М.Л.2, Плансон Д.2, Шант Ж.П.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2CEGELY-INSA, Lyon, France
Поступила в редакцию: 28 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

Исследован температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основе 6H-SiC. Показано, что температурная зависимость напряжения пробоя может быть объяснена перезарядкой глубоких акцепторных уровней в слое объемного заряда. Результаты проведенных расчетов находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными, полученными для легированных бором p-n-структур на основе 6H-SiC.
  • А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. Письма в ЖТФ, 7, 1335 (1981)
  • Ю.А. Водаков, А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. Письма ЖТФ, 7, 705 (1981)
  • А.П. Дмитриев, А.О. Константинов, Д.П. Литвин. ФТП, 17, 1093 (1983)
  • М.М. Аникин, С.Н. Вайнштейн, М.Е. Левинштейн, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 22, 545 (1988)
  • М.М. Аникин, М.Е. Левинштейн, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 22, 1574 (1988)
  • А.С. Кюрегян, П.Н. Шлыгин. ФТП, 23, 1164 (1989)
  • Е.В. Астрова, В.М. Волле, В.Б. Воронков, В.А. Козлов, А.А. Лебедев. ФТП, 20, 2122 (1986)
  • M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin. Mater. Sci. Eng., 11, 113 (1992)
  • А.А. Лебедев, А.Н. Андреев, А.А. Мальцев, М.Г. Растегаева, Н.С. Савкина, В.Е. Челноков. ФТП, 29, 1635 (1995)
  • M.S. Mazzola, S.E. Saddow, P.G.Neudeck, V.K. Lakdawala, S. We. Appl. Phys. Lett., 64, 2730 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.