"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование наноструктур InGaAs/GaAs методами субмонослойного напыления из молекулярных пучков
Цырлин Г.Э.1, Петров В.Н.1, Дубровский В.Г.1, Поляков Н.К.1, Типисев С.Я.1, Голубок А.О.1, Леденцов Н.Н.2
1Институт аналитическогоо приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 октября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Методом сканирующей туннельной микроскопии исследованы морфологические характеристики ансамбля нанообъектов InGaAs/GaAs на сингулярных и вицинальных поверхностях GaAs (100). Наноструктуры формировались с использованием различных модификаций молекулярно-пучковой эпитаксии. Установлено, что на морфологию поверхности оказывает сильное влияние как кинетика роста, так и умышленная разориентация поверхности.
  • В.И. Марченко. ЖЭТФ, 81, 1141 (1981).
  • Y.-W. Mo, B.S. Swartzentruber, R. Kariotis, M.B. Webb, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett. 63, 2393 (1989)
  • I. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G. Le Roux. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985)
  • R. Nozel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz, M. Hohenstein, K. Ploog K. Phys. Rev. Lett., 67, 3812 (1991)
  • J. Tersoff, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 70, 2782 (1993)
  • M. Grundmann, J. Christen, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenriech, M.V. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. Lett., 74, 4043 (1995)
  • R. Leon, S. Fafard. D. Leonard, J.I. Merz, P.M. Petroff. Phys. Rev. B, 50, 11 687 (1994)
  • N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, S.S. Ruvimov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, U. Richter, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Electron. Lett., 30, 1416 (1994)
  • D.S.I. Mui, D. Leonard, L.A. Coldren, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 66, 1620 (1995)
  • V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 75, 2968 (1995)
  • C. Priester, M. Lanoo. Phys. Rev. Lett., 75, 93 (1995)
  • N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Christen, R. Heitz, J. Bohrer, F. Heinrichsdorff, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Proc. 22th Int. Conf. on Physics of Semicond. Vancouver, Canada, 1994 ed by D.J. Lookwood (World Scientific, Singapore, 1995) v. 3, p. 1855
  • G.E. Cirlin, G.M. Guryanov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, M. Grundmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 67, 97 (1995)
  • N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, S. Zaitsev, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenriech. Sol. St. Electron., 40, 785 (1996).
  • Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Г.Э. Цырлин, В.Н. Петров, Г.М. Гурьянов. ФТП, 29, 1295 (1995)
  • G.M. Guryanov, G.E. Cirlin, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, E.P. Musikhina, V.B. Gubanov, Yu.B. Samsonenko, N.N. Ledentsov. Surf. Sci. 331--333, 414 (1995)
  • Г.М. Гурьянов, Н.Н. Леденцов, В.Н. Петров, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин, А.Г. Филаретов. Письма ЖТФ, 19, вып. 18, 64 (1993)
  • P.D. Wang, N.N. Ledentsov, C.M. Sotomayor Torres, P.S. Kop'ev, V.M. Ustinov. Appl. Phys. Lett., 64, 1526 (1994)
  • Г.Э. Цырлин, А.О. Голубок, С.Я. Типисев, Н.Н. Леденцов, Г.М. Гурьянов. ФТП, 29, 1697 (1995)
  • Y. Gonzalez, L. Gonzalez, F. Briones. J. Cryst. Growth. 111, 120 (1991)
  • Г.М. Гурьянов, В.Н. Демидов, Н.П. Корнеева, Г.Э. Цырлин. ПТЭ, N 3, 167 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.