"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства легировнных теллуром монокристаллов антимонида галлия, выращенных из нестехиометрического расплава
Куницын А.Е.1, Мильвидская А.Г.2, Мильвидский М.Г.2, Чалдышев В.В.1
1Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Государственный институт редкометаллической промышленности, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Исследована электрические и люминесцентные свойства легированных теллуром монокристаллов антимонида галлия, выращенных методом Чохральского из расплава, обогащенного галлием. Установлено, что кристаллы обладют проводимостью n-типа и сильно компенсированы. Обнаружено, что концентрация примеси теллура возрастает к концу слитка быстрее, чем концентрация компенсирующих акцепторов. Обсуждаются возможности формирования свойств монокристаллов GaSb путем использовния для выращивания нестехиометрических расплавов и последующей термообработки материала.
  • В.П. Гермогенов, Я.И. Отман, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев, Л.Е. Эпиктетова. ФТП, 24, 1095 (1990)
  • Р.Х. Акчурин, В.А. Жегалин, В.В. Чалдышев. ФТП, 26, 1409 (1992)
  • C. Woelk, K.W. Benz. J. Cryst. Growth, 27, 177 (1974)
  • Н.Т. Баграев, А.Н. Баранов, Т.И. Воронина. Ю.Н. Толпаров, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 11, в. 2, 117 (1985)
  • В.М. Смирнов, А.А. Калинин, Б.Т. Бублик, А.Г. Брагинская, Г.П. Колчина, А.Н. Морозов, В.Б. Освенский. Кристаллография, 31, 615 (1986)
  • Н.А. Берт, А.Е. Куницын, А.Г. Мильвидская, М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев. ФТП, 29, 1116 (1995)
  • D. Effer, P.J. Etter. J. Phys. Chem Sol., 25, 451 (1964)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.