"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование пористого кремния и его старения методами полного внешнего отражения рентгеновских лучей и инфракрасной спектроскопии
Балагуров Л.А.1, Павлов В.Ф.1, Петрова Е.А.1, Боронина Г.П.1
1Государственный институт редких металлов, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 октября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Пористый кремний p-типа впервые исследован методом рентгеновской рефлектометрии. Для него критический угол полного внешнего отражения и коэффициент отражения в области углов, меньших критического, значительно меньше, чем для c-Si выращенного по методу Чохральского. Критический угол уменьшается при увеличении пористости. Критический угол и коэффициент отражения увеличиваются в процессе старения пористого кремния. Результаты объясняются значительно меньшей электронной плотностью пористого кремния по сравнению с c-Si и микрогеометрией его поверхности, а также их изменением в процессе старения из-за увеличения в нем концентрации атмосферных составляющих, наблюдаемых по инфракрасным спектрам поглощения. Концентрация атмосферных примесей увеличивается при возрастании пористости, причем в сильно пористом материале существенный вклад помимо химически адсорбированного кислорода, по-видимому, дают углерод и вода.
  • W. Lang, P. Steiner, F. Kozlowski, J. Luminecs., 57, 341 (1993)
  • J.P. Zheng, K.L. Jiao, W.P. Shen, W.A. Anderson, H.S. Kwok. Appl. Phys. Lett., 61, 459 (1992)
  • L.T. Canham, M.R. Houlton, W.Y. Leong, C. Pickering, J.M. Keen. J. Appl. Phys., 70, 422 (1991)
  • Р. Джеймс. Оптические принципы диффракции рентгеновских лучей (М., ИЛ, 1950)
  • D.E. Aspnes, J.B. Theeten. J. Appl. Phys., 50, 4928 (1979)
  • C. Pickering, M.I.J. Beale, D.J. Robbins, P.J. Pearson, R. Greef. Phys. C: Sol. St. Phys., 17, 6535 (1984)
  • A. Borghesi, A. Sassella, B. Pivac, L. Pavesi. Sol. St. Commun., 87, 1 (1993)
  • K.H. Beckman. Surf. Sci., 3, 314 (1965)
  • E.C. Freeman, W. Paul. Phys. Rev. B, 20, 716 (1979)
  • G. Lucovsky, S.S. Chao, J. Yang, J.E. Tyler, W. Czubatyj. Phys. Rev. B, 28, 3225 (1983)
  • Handbook of Semiconductor Silicon Technology, ed. by W.C. O'Mara, R.B. Herring, L.P. Hunt (New Jersey, Noyes Publication, 1990)
  • М.А. Андреева, С.Ф. Борисова, С.А. Степанов. Поверхность, N 4, 5 (1985)
  • В.М. Синайский, В.И. Сиденко. ПТЭ N 6, 5 (1974)
  • Л.А. Смирнов, С.Б. Анохин. Оптика и спектроскопия, 48, 574 (1980)
  • Y. Morin, L. Saviot, B. Champagnon, C. Esnouf, A. Halimaout. Thin Sol. Films, 255, 188 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.