Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Акцепторы в Cd_1-xMn_xTe (x<0.1)

Власенко А.И.¹, Бабенцов В.Н.¹, Власенко З.К.¹, Свечников С.В.¹, Раренко И.М.², Захарук З.И.², Никонюк Е.С.², Шляховый В.Л.²

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
²Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина

Поступила в редакцию: 7 августа 1996 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально выявлены и исследованы электрическими и люминесцентными методами акцепторные дефекты, контролирующие проводимость и рекомбинацию в Cd_1-xMn_xTe (0=< x=<0.1). Определены их энергетические уровни и их зависимости от состава. Обсуждается физико-химическая природа этих дефектов.

K.Y. Lay, H. Neff, R.J. Bachmann. Phys. St. Sol. (a), 92, 567 (1985).
П.Н. Букивский, Ю.П. Гнатенко, А.Х. Рожко. Письма ЖЭТФ, 61, 380 (1995)
W.M. Higgins, G.N. Pultz, R.G. Roy, R.G. Lancaster. J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 271 (1989).
Б.П. Захарченя, А.В. Кудинов, Ю.Г. Кусраев. Письма ЖЭТФ, 63, 241 (1996)
В.Н. Бабенцов, А.И. Власенко, Н.И. Тарбаев. ФТП, 29, 1563 (1995)
А.В. Савицкий, Н.И. Илащук, О.А. Парфенюк, К.С. Ульяницкий. Тез. докл. II Укр. конф. "Материаловедение и физика полупровод. фаз переменного состава" (Нежин, 21--24 сентября 1993) с. 192
В.Н. Бабенцов, Л.В. Рашковецкий, Е.А. Сальков, Н.И. Тарабаев. ФТП, 26, 1088 (1992)
П.И. Бабий, Н.П. Гавалешко, Ю.П. Гнатенко и др. Препринт N 3 ИФ АН УССР (Киев, 1983)
М.В. Алексеенко, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев. ФТП, 4, 414 (1970)
А.И. Власенко, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. УФЖ, 25, 1317 (1980)
В.Ф. Агекян, А.Ю. Серов, Ю.А. Степанов, Ле Тхай Лай. ФТТ, 37, 1090 (1995)
S.P. Kovalczyk, J.T. Cheung, E.A. Kraut, R.W. Grant. Phys. Rev. Lett., 56, 1605 (1986)
E. Molva, J.R. Chamonal, J.L. Pautra, PSS B, 109, 635 (1982)
В.И. Соколов. Неорг. матер., 31, 1310 (1995)
Н.В. Агринская. Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев. ФТП, 5, 869 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель