"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электронная структура комплекса Er--O6 в кремнии
Ильин Н.П.1, Мастеров В.Ф.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 января 1997 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.

Вычислен энергетический спектр комплекса Er--O6 в кремнии. Определены квадраты амплитуд волновых функций состояний комплекса на атоме эрбия. Результаты расчета показывают, что октаэдрический комплекс Er--O6 является акцептором в кремнии. Кроме того, в запрещенной зоне кристалла может образовываться энергетический уровень электронной ловушки. В целом результаты расчета подтверждают предложенную ранее модель квантовой точки Er--O в кремнии.
  • Rare-Earth doped semiconductors, ed. by G.S. Pomrenke, P.B. Klein, D.W. Langer. MRS Symp. Proc. (Pittsburg, MRS, 1993) v. 301
  • Rare-Earth doped semiconductors II, ed. by A. Polman, S. Coffa, R.N. Schwartz. MRS Symp. Proc. (Pittsburg, MRS, 1996) v. 422
  • D.I. Adler, D.C. Jacobson, M.A. Marcus, J.L. Benton, J.M. Poate, P.H. Citrin. Appl. Phys. Lett., 61, 2181 (1992)
  • K.M. Moon, W.C. Kochler, H.K. Child, I.J. Raubenheimer. Phys. Rev., 176, 722 (1968)
  • J.C. Phillips. J. Appl. Phys., 76, 5896 (1994)
  • В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, В.Х. Кудоярова, А.Н. Кузнецов, Е.И. Теруков. Письма ЖТФ, 22, вып. 23, 25 (1996)
  • V.F. Masterov, L.G. Gerchikov. In: Rare-Earth doped semiconductors, ed. by A. Polman, S. Coffa, R.N. Schwartz. MRS Symp. Proc. (Pittsburg, MRS, 1996) v. 422, p. 227
  • М. Ланно, Ж. Бургуэн. Точечные дефекты в полупровдниках (М., Мир, 1984) с. 19
  • И.Б. Берсукер. Электронное строение и свойства координационных соединений (Л., Химия, 1976) с. 120
  • В.Ф. Мастеров. ФТП, 27, 1435 (1993)
  • А.А. Самохвалов. В кн.: Редкоземельные полупроводники, под ред. В.П. Жузе и И.А. Смирнова (Л., Наука, 1977) с. 5--47
  • В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, А.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Справочник. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка, 1987) с. 465
  • Н.П. Ильин, В.Ф. Мастеров, А.Э. Васильев. ФТП, 26, 1866 (1992)
  • N.P. Ilyin, V.F. Masterov. In: Spectroscopy of Crystals Activated by Rare-Earth and Transition Metal Ions, ed. by A. Ryskin and V. Masterov. SPIE, 2706, 226 (1996)
  • Н.П. Ильин, В.Ф. Мастеров, А.Э. Васильев. ФТП, 25, 185 (1991)
  • А.Э. Васильев, Н.П. Ильин, В.Ф. Мастеров. ФТП, 25, 1253 (1988)
  • N.P. Ilyin, V.F. Masterov. Semicond, Sci. Technol., 8, 1253 (1993)
  • A. Zunger. Sol. St. Phys., 39, 275 (1986)
  • T. Tiedje, K.M. Colbow, J. Gao, J.K. Kahn, J.N. Reimers, D.C. Houghton. Appl. Phys. Lett., 61, 1296 (1992)
  • У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1993).)
  • R.W. Anderson. Phys. Rev., 124, 41 (1961)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.