"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах
Баженов Н.Л.1, Зегря Г.Г.1, Иванов-Омский В.И.1, Михайлова М.П.1, Михайлов М.Ю.1, Моисеев К.Д.1, Смирнов В.А.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Исследована электролюминесценция в разъединенной одиночной гетероструктуре II типа p-GaInAsSb/p-InAs при T=4.2/ 77 K. Показано, что при понижении температуры ниже T=77 K две полосы люминесценции с энергиями максимумов 311 мэВ (полоса A) и 384 мэВ (полоса B) сдвигаются в сторону больших энергий, причем при T=4.2 K коротковолновая полоса расщепляется на две полосы B1 и B2. Результаты объясняются в рамках модели, учитывающей рекомбинацию электронов из зоны проводимости на акцепторный уровень в InAs, а также рекомбинацией электронов и дырок, локализованных в самосогласованных квантовых ямах по разные стороны от гетерограницы.
  • M.P. Mikhailova, G.G. Zegrya, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Sol. St. Electron., 40, 673 (1996)
  • Н.Л. Баженов, Г.Г. Зегря, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, В.А. Смирнов, О.Ю. Соловьева, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 658 (1977)
  • N.L. Bazhenov, G.G. Zegrya, V.I. Ivanov-Omskii, K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, V.A. Smirnov, Yu.P. Yakovlev. 23-rd Int. Symp. Compound Semiconductors (St. Petersburg, Russia, September 23--27) rep. 11.P2.37
  • П.К. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)
  • X. Gong, H. Kan, T. Yamagichi, I. Sazuki, M. Aoyama, M. Kumagawa, N.L. Rowell, A. Wang, R. Rinfret. JJAP, v. 33, 1740 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.