Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1997, выпуск 10 » Статья стр. 1242
<<<>>>
Особенности формирования гетерограниц (Al,Ga)Sb/InAs при молекулярно-пучковой эпитаксии
Неклюдов П.В.1, Иванов С.В.1, Мельцер Б.Я.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.
PDF версия
Мы представляем термодинамическую модель процесса формирования методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетерограниц типа InSb, GaAs и AlAs в гетероструктурах с квантовыми ямами (Al,Ga)Sb/InAs. Максимальная критическая температура формирования планарной гетерограницы типа InSb на буферном слое (Al,Ga)Sb T~ 390oC, полученная из сравнения давления молекул Sb4 во внешнем потоке с их равновесным давлением над напряженным монослоем на гетерогранице, хорошо согласуется с имеющимися экспериментальными данными. В противоположность этому, критическая температура образования гетерограницы типа AlAs (GaAs), соответствующая началу интенсивного переиспарения As, имеет величину много большую, чем обыкновенно используемые температуры роста (350-550oC).
  1. G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English. J. Appl. Phys., 67, 3032 (1990)
  2. B. Brar, J. Ibbetson, H. Kroemer, J.H. English. Appl. Phys. Lett. 64, 3392 (1994)
  3. J. Wagner, J. Schmitz, D. Behr, J.D. Ralston, P. Koidl. Appl. Phys. Lett., 65, 1293 (1994)
  4. I. Sela, C.R. Bolognesi, L.A. Samoska, H. Kroemer. Appl. Phys. Lett., 60, 3283 (1992)
  5. S.V. Ivanov, P.D. Altukhov, T.S. Argunova, A.A. Bakun, A.A. Boudza, V.V. Chaldyshev, Yu.A. Kovalenko, P.S. Kop'ev, R.N. Kutt, B.Ya. Meltser, S.S. Ruvimov, L.M. Sorokin, S.V. Shaposhnikov, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol., 8, 347 (1993)
  6. S.V. Ivanov, A.A. Boudza, R.N. Kutt, N.N. Ledentsov, B.Ya. Meltser, S.S. Ruvimov, S.V. Shaposhnikov, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 156, 191 (1995)
  7. П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов. ФТП, 22, 1729 (1988).
  8. R.E. Nahory, M.A. Pollack, E.D. Beebe, J.C. DeWinter. J. Electrochem. Soc. 125, 1053 (1978)
  9. O. Madelung, M. Schulz, H. Weiss. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology (Springer Verlag, Berlin, 1982) vol. 17A
  10. S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov. J. Cryst. Growth, 104, 345 (1990)
  11. M.B. Panich, M. Ilegems. Progress in Solid State Chemistry, ed. by H. Reiss, J.D. McCaldin (Pergamon, N. Y., 1972) vol. 7, p. 39
  12. S.Yu. Karpov, Yu.V. Kovalchuk, V.E. Myachin, Yu.V. Pogorelskii. J. Cryst. Growth, 129, 563 (1993)
  13. M. Seta, H. Asahi, S.G. Kim, K. Asami, Shun-ichi-Gonda. J. Appl. Phys., 74, 5033 (1993)
  14. J. Spitzer, H.D. Fuchs, P. Etchegoin, M. Ilg, M. Cardona. Appl. Phys. Lett., 62, 2274 (1993)
  15. B.R. Bennett, B.V. Shanabrook, R.J. Wagner, J.L. Davis, J.R. Waterman. Appl. Phys. Lett., 63, 949 (1993)
  16. M.Yano, M. Okuizumi, Y. Iwai, M. Inoue. J. Appl. Phys., 74, 7472 (1993)
  17. P.D. Wang, N.N. Ledentsov, C.M. Sotomayor-Torres, S.V. Ivanov, B.Ya. Meltser, P.S. Kop'ev. Sol. St. Commun., 9, 361 (1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme