"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические свойства тонких эпитаксиальных слоев n-Pb1-xSnxSe/BaF2 в области плазмон-фононного взаимодействия
Копылов А.А.1, Мошников В.А.1, Холодилов А.Н.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 сентября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

Исследованы спектры оптического отражения и пропускания субмикронных эпитаксиальных слоев Pb1-xSnxSe/BaF2 с составами в диапазоне x=0.04-0.21. По результатам моделирования формы спектров определены параметры электронной плазмы. Оценен межзонный вклад в диэлектрическую функцию Pb1-xSnxSe.
  • Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS (М., Наука, 1968)
  • И.М. Несмелова. Оптические свойства узкощелевых полупроводников (Новосибирск, Наука, 1992)
  • H. Preier. Appl. Phys., 20, 189 (1979)
  • А.В. Махин, Д.А. Яськов. Изв. ЛЭТИ, вып. 414, 97 (1989)
  • В.А. Васильев, П.Е. Дышловенко, А.А. Копылов, А.Н. Холодилов. ПТЭ, N 5, 174 (1990)
  • А.Г. Белов, Е.П. Рашевская. Вестн. МГУ. Сер. 3, Физика, 19, N 2, 10 (1978)
  • И.В. Кучеренко, Ю.А. Митягин, Л.К. Водопьянов, А.П. Шотов. ФТП, 11, 488 (1977)
  • M. Grynberg, R.Le Toullec, M. Balkanski. Phys. Rev. B, 9, 517 (1974)
  • Т.С. Гертович, С.И. Гринева, В.Г. Гуцуляк, В.Б. Орлецкий, К.Д. Товстюк, С.А. Храмцова. Укр. физ. журн., 25, 1369 (1980)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.