"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние сужения запрещенной зоны на диффузию заряженных примесей в полупроводниках
Соколовский Б.С.1, Монастырский Л.С.1
1Львовский государственный университет им. Ив. Франко, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 11 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

Теоретически показано, что учет внутреннего электрического поля, связанного с сужением запрещенной зоны, которое происходит при сильном легировании полупроводника, приводит к уменьшению коэффициента диффузии заряженной примеси и формированию падающего участка на его концентрационной зависимости.
  • Atomic Diffusion in Semiconductors, ed. by D. Shaw (Plenum Press, London--N.Y., 1973). [Пер.: Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М., Мир, 1975)]
  • Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., Наука, 1972)
  • H.P.D. Lanyon, R.A. Tuft. IEEE Trans. Electron. Dev., 26, 1014 (1979); С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  • H.S. Bennett, J.R. Lowney. J. Appl. Phys., 52, 5633 (1981)
  • B.E. Sernelius. Phys. Rev. B 33, 8582 (1986)
  • H.S. Bennett, J.R. Lowney. J. Appl. Phys., 62, 521 (1987)
  • S.C. Jain, E. Heasell, D.J. Roulston. Prog. Quant. Electron., 11, 105 (1987)
  • S.C. Jain, J.M. McGregor, D.J. Roulston. J. Appl. Phys., 68, 3747 (1990)
  • S.C. Jain, D.J. Roulston. Sol. St. Electron., 34, 453 (1991)
  • Д.И. Бычковский, О.В. Константинов, Б.В. Царенков. ФТП, 24, 1848 (1990)
  • Z.H. Lu, M.C. Hanna, A. Majerfeld. Appl. Phys. Lett., 64, 88 (1994)
  • B.P. Yan, J.S. Luo, Q.L. Zhang. J. Appl. Phys., 77, 4822 (1995)
  • А.О. Константинов. ФТП, 26, 339 (1992)
  • Л.С. Монастырский, Б.С. Соколовский. ФТП, 26, 339 (1992)
  • K. Lehovec, A. Slobodskoy. Sol. St. Electron., 3, 45 (1961)
  • Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Наука, 1964)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.