"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние плазменной обработки поверхности карбида кремния на характеристики полевых транзисторов со скрытым p-n-затвором
Иванов П.А.1, Коньков О.И.1, Пантелеев В.Н.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

Для SiC полевых транзисторов со скрытым p-n-затвором показана возможность стабилизации зарядового состояния поверхности канала, выступающей в таких транзисторах в роли дополнительного "плавающего" затвора, путем ее обработки в водородной плазме при комнатной температуре. Продемонстрировано, что необходимость такой стабилизации особенно актуальна для транзисторов с относительно низкой концентрацией доноров в канале (высоковольтных), в которых поверхностный заряд может сильно модулироваться напряжением стока из-за влияния короткоканальных эффектов.
  • П.А. Иванов, В.Е. Челноков. ФТП, 29, 1921 (1995)
  • П.А. Иванов, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова, В.Е. Челноков. ФТП, 29, 271 (1995)
  • А.О. Константинов, Н.С. Константинова, О.И. Коньков, Е.И. Теруков, П.А. Иванов. ФТП, 28, 342 (1994)
  • P.A. Ivanov, N.S. Savkina, V.N. Panteleev, T.P. Samsonova, A.A. Maltsev. Transactions of the 3-rd International HiTEC (Albuquerque, NM, 1996) p. P-213
  • A.O. Konstantinov, P.A. Ivanov, O.I. Konkov, E.I. Terukov. In: Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spencer, R.P. Devaty, J.A. Edmond, M. Asif Khan, R. Karlan, M. Rahman (Inst. Phys. Conf. Ser. No 137; Inst. Phys. Publishing, Bristol and Philadelphia, 1993) p. 275
  • J.R. Brews, W. Fitchner, E.H. Nicolian, S.M. Sze. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-1, 2 (1980)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.