Фотопроводимость кремния, легированного серой, в спектральном диапазоне 10.6 мкм
Сиябеков Х.Б.1, Туланов В.Т.1
1Ташкентский государственный университет, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 18 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1997 г.
В импульсном режиме исследована примесная фотопроводимость Si<S> в условиях коротковолновой подсветки 10.6 мкм. Определено, что путем коротковолновой подсветки можно достичь увеличения чувствительности на 2-3 порядка. Установлено, что увеличение степени компенсации примесных уровней серы акцепторами, созданными при gamma-облучении, приводит к уменьшению как темновой проводимости, так и фотоответа, обусловленного импульсным освещением CO2-лазера.
- N. Sclar. Infr. Phys., 167, 435 (1976)
- В.С. Вавилов, И.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники (М., Наука, 1988)
- А.А. Лебедев, А.Т. Мамадалимов, Ш. Махкамов. ФТП, 8, 262 (1974)
- Г.Б. Горлин, В.Т. Туланов, Х.Б. Сиябеков. ЖТФ, 67, в. 10, 142 (1997)
- Ю.А. Астров, А.А. Лебедев, А.Т. Мамадалимов, Ш.С. Касымов, Л.Г. Парицкий. Деп. в ВИНИТИ, N 2463-75 (1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук