Исследована низкотемпературная фотолюминесценция гетероструктур ZnS--ZnSe, выращенных в виде одиночных квантовых ям путем нетрадиционной технологии --- фотостимулированной газофазной эпитаксии (photo-assisted vapor phase epitaxy-PAVPE). Показано, что негомогенность квантовых ям может быть объяснена в рамках модели, основывающейся на разоупорядочении гетерограниц между двумя полупроводниками. Установлено, что край подвижности, отделяющий локализованные и нелокализованные состояния в системе экситонов, расположен на 6 мэВ ниже энергии основного состояния "тяжелого" экситона в квантовой яме номинальной толщины Lz=11 Angstrem.
R.A. Reynolds. J. Vac. Sci. Technol. A,7, 269 (1989)
П.С. Копьев, И.Н. Уральцев, Д.Р. Яковлев, Ал.Л. Эфрос, А.В. Винокурова. ФТП, 22, 424 (1988)
H. Kalt, J. Collet, S.D. Baranovskii, Rosari Saleh, P. Thomas, Le Si Dang, J. Cibert. Phys. Rev. B, 45, 4253 (1992)
T. Taguchi, Y. Kawakami, Y. Yamado. Physica B, 191, 23 (1993)
Н.Н. Леденцов, С.В. Иванов, В.М. Максимов, И.В. Седова, И.Г. Табатадзе, П.С. Копьев. ФТП, 29, 65 (1995)
A.V. Kovalenko, V.V. Tishchenko. Japan. J. Appl. Phys., 34; Suppl. 34-1, 209 (1995)
V.V. Tishchenko, Y. Partis, E. Anastassakis, N.V. Bondar. Sol. St. Comm., 96, 793 (1995)
I.A. Kash, M. Zachau, E.E. Mendez, J.M. Hong. Phys. Rev. Lett., 66, 2247 (1991)
S. Rudin, T.L. Reinecke. Phys. Rev. B, 42, 11218 (1990)
E. Tossati, G. Harbeke. Nuovo. Cim. B, 22, 87 (1974)
B.M. Askinadze, E. Cohen, Azra Ron, L. Pfeiffer. Phys. Rev. B, 47, 10613 (1993)
H. Stolz, D. Schwarze, W. von der Osten. Superllatt Microstr., 6, 271 (1989)