"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Проявление в спектре мелких пограничных состояний эффектов перколяционной проводимости короткоканальных полевых транзисторов
Аронзон Б.А.1, Бакаушин Д.А.1, Веденеев А.С.1, Рыльков В.В.1, Сизов В.Е.1
1Курчатовский институт Российского научного центра, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 6 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1997 г.

По методу эффекта поля в температурном интервале T=77/ 300 K исследована эффективная плотность мелких пограничных состояний Nss в короткоканальных (0.5/ 5 мкм) транзисторах типа Si-MNOS и полевых --- на основе GaAs с повышенной (более 1012 см-2) концентрацией зарядов, встроенных в подзатворном диэлектрике. Обнаружена особенность Nss в виде пика, выраженная тем более отчетливо, чем ниже температура, выше концентрация встроенного заряда и короче затвор. Безотносительно к изменению перечисленных параметров, а также толщины подзатворного диэлектрика и отношения длины канала к его ширине этот пик проявляется при одних и тех же значениях проводимости каналов G~ q2/h. При этом энергетическая глубина пика плотности состояний (~ 40/ 120 мэВ) изменяется пропорционально T, что выходит за рамки представлений о пограничных состояниях, обусловленных как сильным флуктуационным потенциалом, так и дефектами и ловушками. Результаты интерпретируются в рамках перколяционной теории проводимости сильно разупорядоченных систем. Представляется, что особенность связана с переходом от проводимости двумерной эффективной среды, имеющей место в условиях электронного экранирования флуктуационного потенциала, к проводимости по квазиодномерному потенциальному желобу, образуемому в условиях сильного флуктуационного потенциала локальными областями с пониженным потенциалом.
  • А.А. Кальфа, А.С. Тагер. В кн.: Многослойные полупроводниковые структуры и сверхрешетки (Горький 1985)
  • М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Мир, 1979)
  • J.R. Brews. J. Appl. Phys., 46, 2181 (1975)
  • В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 84, 719 (1983)
  • В.А. Гергель, Г.В. Шпатаковская. ЖЭТФ, 102, 640 (1992)
  • A.L. Efros, F.G. Pikus, V.G. Burnett. Phys. Rev. B, 47, 2233 (1993)
  • E.N. Nicollian, J.R. Brews. MOS Physics and Technology (N. Y., Williy, 1982)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  • В.А. Гергель, А.Н. Соляков. ФТП, 17, 1016 (1983)
  • А.С. Веденеев, В.А. Гергель, А.Г. Ждан, В.Е. Сизов. Письма ЖЭТФ, 58, 368 (1993)
  • Б.А. Аронзон, А.С. Веденеев, А.Г. Ждан, В.В. Рыльков. Микроэлектроника, 24, 452 (1995)
  • A.O. Orlov, M.E. Raikh, I.M. Ruzin, A.K. Savchenko. Sol. St. Commun., 72, 169 (1989)
  • A.S. Rylik, A.O. Orlov, E.I. Laiko. Phys. Low-Dim. Structur., N 3, 67 (1994)
  • А.С. Веденеев, А.Г. Гайворонский, А.Г. Ждан. ФТП, 26, 2017 (1992)
  • А.С. Веденеев, А.Г. Гайворонский, А.Г. Ждан. ПТЭ, N 2, 246 (1992)
  • М.А. Байрамов, А.С. Веденеев, А.Г. Ждан, Б.С. Щамхалова. ФТП, 23, 1618 (1989)
  • А.В. Орлов, А.К. Савченко, Б.И. Шкловский. ФТП, 23, 1334 (1989)
  • М.А. Байрамов, А.С. Веденеев, А.Г. Ждан. ФТП, 23, 2122 (1989)
  • A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii. Phys. Low-Dim. Structur., N 6, 75 (1994)
  • Л.И. Глазман, Л.И. Лесовик, Д.Е. Хмельницкий, Р.И. Шехтер. Письма ЖЭТФ, 48, 239 (1988)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.