Численно исследована релаксация поля и тока при выключении сильно поглощаемого света в высокоомной структуре металл-диэлектрик-полупроводник (МДПДМ), содержащей значительную концентрацию глубоких примесных уровней. Установлено, что зависимость распределения поля от времени определяется соотношением времен тепловой генерации примесью электронов tau_n и дырок tau_p. В случае tau_n>> tau_p изменение поля в толще полупроводника немонотонно со временем. Дрейф фотогенерированных носителей после прекращения освещения приводит к образованию области отрицательного объемного заряда повышенной плотности и значительному росту поля вблизи анода. Его максимальная величина достигает 5/6 значений среднего поля E_e=V/d. Учет дополнительной инжекции дырок с анода приводит к возрастанию тока, ограничению максимума поля у анода и заметному ускорению релаксации поля к темновому распределению.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.