В рамках трех механизмов (уровней прилипания, рекомбинации через уровни с большой релаксацией, разделения носителей пространственными неоднородностями) обсуждается наблюдаемая долговременная релаксация кинетики фототока в компенсированных образцах Si<B,S> и Si<B,Rh>. Показано, что радиационное воздействие (gamma-квантами 60Co при различных температурах) в ряде случаев позволяет дифференцировать реализуемость указанных механизмов.
С.М. Рывкин. ФТП, 8, 373 (1974); ФТП, 11, 2378 (1977)
М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)
Deep centers in semiconductors, ed. by S. Pantelides (N.Y., P 1. Press, 1986) p. 950
А.А. Лебедев, Н.А. Султанов, В.М. Тучкевич. ФТП, 5, 31 (1971)
А.А. Лебедев, А.Т. Мамадалимов, Ш. Махкамов. ФТП, 8, 262 (1974)
Ш. Махкамов, Н.А. Турсунов, М. Ашуров. В кн.: Фотоэлектрические явления в полупроводниках. (Тез. докл. Всес. конф.) (Ташкент, Фан, 1989) с. 326
М.К. Бахадырханов. В сб.: Глубокие уровни в полупроводниках, под ред. В.И. Фистуля (Ташкент, 1981) с. 52
М.К. Бахадырханов, С.З. Зайнабидинов. Узб. физ. журн., N 6, 5 (1991)
Б.З. Шарипов, Н. Норкулов, Х.Ш. Аскаров. В кн.: Фотоэлектрические явления в полупроводниках (Тез. докл. Всес. конф.) (Ташкент, Фан, 1989) с. 33
Ш.И. Аскаров, Б.З. Шарипов. В кн.: Фотоэлектрические явления в полупроводниках (Тез. докл. Всес. конф.) (Ташкент, Фан, 1989). с. 237
В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников (М., Высш. шк., 1984)
Дж. Миз, П. Глэрон. В кн.: Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников (М., Мир, 1982) с. 239. [Пер. с англ. под ред. В.Н. Мордковича]. Neutron transmutaion doping in semiconductors, ed. by J.M. Meese (Plenum Press, N.Y.--London, 1979)
В.В. Емцев, Т.В. Машовец, Е.Х. Назарян. ФТП, 15, 1018 (1981)
Фракталы в физике, под ред. Л. Пьетронеро, Э. Тозатти (М., Мир, 1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.