"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние метастабильных состояний на высвечивание экситонов в n-GaAs
Криволапчук В.В.1, Полетаев Н.К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт--Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

Исследовано затухание спонтанного излучения экситонов в n-GaAs в зависимости от температуры и интенсивности возбуждения. Впервые экспериментально обнаружено влияние метастабильного состояния, резонансного с зоной проводимости, на процесс высвечивания экситонов.
  • D. Bimberg, H. Munzel, A. Steckenborn, J. Christen. Phys. Rev. B, 31, 7788 (1985)
  • P.M. Mooney. J. Appl. Phys. 67, R1 (1990)
  • T.N. Theis, P.M. Mooney, S.L. Wright. Phys. Rev. Lett. 60, 361 (1988)
  • G. Brunhaler, K. Ploog, W. Juntsch. Phys. Rev. Lett., 63, 2276 (1989)
  • А.В. Акимов, А.А. Каплянский, В.В. Криволапчук, Е.В. Москаленко. Письма ЖЭТФ, 46, 35 (1987)
  • А.В. Акимов, В.В. Криволапчук, Н.К. Полетаев, В.Г. Шофман. ФТП, 27, 310 (1993)
  • E.H. Bogardus, H.B. Bebb. Phys. Rev. 176, 993 (1968)
  • Б.Л. Гельмонт, Н.Н. Зиновьев, Д.И. Ковалев, В.А. Харченко, И.Д. Ярошецкий, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 94, 332 (1988)
  • C. Weisbuch. Sol. St. Electron. 21, 179 (1978)
  • C.J. Hwang. Phys. Rev. B, 8, 646 (1973)
  • А.Э. Васильев, Н.П. Ильин, В.Ф. Мастеров. ФТП, 23 804 (1989)
  • C.J. Armistead, S.P. Najda, R.A. Stradling, J.C. Maan. Sol. St. Commun., 53, 1109 (1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.