"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фоточувствительность гетероструктур пористый кремний--слоистые полупроводники AIIIBVI
Лебедев А.А.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

Выпрямляющие гетеропереходы с фоточувствительностью 1--5 В/Вт при T=300 K получены образованием оптических контактов свободного пористого кремния со слоистыми полупроводниками InSe и GaSe. Широкополосный фотовольтаический эффект получен при освещении этих гетеропереходов со стороны пластины свободного пористого кремния. Длинноволновый край фоточувствительности этих устройств определяется прямыми переходами в InSe или GaSe соответственно. Сделано заключение, что гетеропереходы на основе пластин свободного пористого кремния могут применяться как широкополосные фотопреобразователи.
  • L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  • А.А. Лебедев, Ю.В. Рудь. Письма ЖТФ, 21, 80 (1995)
  • А.А. Лебедев, Ю.В. Рудь. Письма ЖТФ, 22, 12 (1996)
  • Физико-химические свойства полупроводниковых материалов. Справочник. (М., Наука, 1978)
  • Е.В. Астрова, А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк, Ю,В. Рудь. ФТП, 29, 1649 (1995)
  • В.Л. Бакуменко, З.Д. Ковалюк, Л.Н. Курбатов, В.Г. Тагаев, В.Ф. Чишко. ФТП, 12, 374 (1978)
  • В.Ф. Агекян, Ю.В. Рудь, Ю.А. Степанов, А.А. Лебедев. ФТТ, 38, 2994 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.