Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Вольт-амперные характеристики GaN и AlGaN p-i-n-диодов
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Cree Research Inc., NC Durham, USA
2Cree Research Inc., NC Durham, USA
Поступила в редакцию: 1 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.
Были исследованы вольт-амперные характеристики GaN и Al0.08Ga0.92N p-i-n-диодов. Исследуемые p-i-n-структуры были выращены методом MOCVD на подложках 6H-SiC с использованием Si и Mg в качестве легирующих примесей. Во время роста структуры путем одновременого легирования донорной и акцепторной примесями была образована i-область. Анализ вольт-амперных характеристик показал, что механизм протекания тока в p-i-n-диодах обусловлен либо дрейфом термически возбужденных дырок, либо электронно-дырочной рекомбинацией в i-области через примесные центры, - так, как это предсказывает теория Эшли-Милнса. Эти примесные центры приписываются акцепторным уровням Mg.
- S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. Appl. Phys. Lett., 64, 1687 (1994)
- S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama. Jap. J. Appl. Phys., 34, L797 (1995)
- S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, T. Mukai. Jap. J. Appl. Phys., 34, L1332 (1995)
- S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto. Jap. J. Appl. Phys., 35, L74 (1996)
- H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, I. Akasaki. Jap. J. Appl. Phys., 28, L2112 (1989)
- S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, N. Iwasa. Jap. J. Appl. Phys., 31, L139 (1992)
- H. Morkoc, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys., 76, 1363 (1994)
- I. Akasaki, H. Amano. J. Electrochem. Soc., 141, 2266 (1994)
- S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. Jap. J. Appl. Phys., 30, L1998 (1991)
- B. Goldenberg, J.D. Zook, R.J. Ulmer. Appl. Phys. Lett., 62, 381 (1993)
- M.A. Khan, Q. Chen, R.A. Skoqman, J.N. Kupnia. Appl. Phys. Lett., 66, 2047 (1995)
- V.A. Dmitriev, K.G. Irvine, C.H. Carter Jr., A.S. Zubrilov, D.V. Tsvetkov. Appl. Phys. Lett., 67, 115 (1995)
- V.A. Dmitriev, K.G. Irvine, C.H. Carter Jr., N.I. Kuznetsov, E.V. Kalinina. Appl. Phys. Lett., 68, 229 (1996)
- V.A. Dmitriev, K.G. Irvine, J.A. Edmond, C.H. Carter Jr., N.I. Kuznetsov, A.S. Zubrilov, E.V. Kalinina, D.V. Tsvetkov. In: Proc. 6th Int. Conf., Kyoto, Japan, 1995 [Inst. Phys. Conf. Ser., 142, 1019 (1995)]
- V.A. Dmitriev, K.G. Irvine, J.A. Edmond, C.H. Carter Jr., A.S. Zubrilov, I.P. Nikitina, V.I. Nikolaev, A.I. Babanin, Yu.V. Melnik, E.V. Kalinina, V.E. Sizov. In: Proc. 21st Int. Symp. on Compound Semicond., San Diego, CA, USA, 1994 [Inst. Phys. Conf. Ser., 141, 497 (1995)]
- K.L. Ashley, A.G. Milnes. J. Appl. Phys., 35, 369 (1964)
- T. Tanaka, A. Watanabe, H. Amano, Y. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki, M. Koike. Appl. Phys. Lett., 65, 593 (1994)
- D.L. Rode, D.K. Gaskill. Appl. Phys. Lett., 66, 1972 (1995)
- D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
- Н.И. Кузнецов. ФТП, 27, 1674 (1993)
- J.I. Pankove, S. Bloom. G. Harbeke. RCA Rev., 36, 163 (1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
