Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гетеропереход на полупроводниках с цепочечной структурой TlSe--TlInSe2
1Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия 
Поступила в редакцию: 16 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.
Получен гетеропереход на основе полупроводников с цепочечной кристаллической структурой p-TlSe-p-TlInSe2. Для получения использован метод жидкофазной эпитаксии из расплава TlSe на поверхности естественного скола (110) кристалла TlInSe2. Полученная структура обладаает чувствительностью к свету и жесткой радиации. Исследованы некоторые фотоэлектрические свойства гетеропереходов.
- Х.Х. Вудбери, В кн.: Физика и химия соединений A3B6, пер. с англ. под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)
- R.W. Dutton, R.S. Muller. Sol. St. Electron., 11, 749 (1968)
- К.Д. Товстюк. Полупроводниковое материаловедение (Киев, Наук. думка, 1984)
- O. Lang, A. Klein. J. Cryst. Growth, 146, 439 (1995)
- O. Lang, C. Peterkoffer at al. In: Proc. 13th Photovoltaic Conference (Nizza, 1995)
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1979)
- D. Muller, G. Eulenberger, H. Hahn. Z. Anorg. Allg. Chem., 398, 207 (1973)
- G.D. Guseinov, E. Mooser, I.V. Alekseev al al. Phys. St. Sol., 34, 33 (1969)
- И.В. Алексеев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 26, 1401 (1990)
- И.В. Алексеев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 28, 2404 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
