Исследовано туннелирование электронов в гетероструктуре с одиночным легированным барьером. Анализ экспериментальных данных показал, что все особенности в туннельной проводимости связаны с туннелированием электронов между двумерными электронными слоями, которые возникают по разные стороны барьера вследствие ионизации примесей в барьере. При этом транспорт электронов между двумерными электронными слоями и трехмерными контактными областями не вносит существенных искажений в измеряемые туннельные характеристики. В таких структурах отсутствует ток вдоль двумерного электронного газа, который обычно затрудняет исследования туннелирования между двумерными электронными системами в магнитных полях.
H. Mizuta, T. Tanoue. The Physics and Applications of Resonant Tunnelling Diodes (Cambridge University Press, 1995)
P. Cheng, J.S. Harris, Jr. Appl. Phys. Lett., 55, 572 (1989)
M.L. Leadbeater, F.W. Sheard, L. Eaves. Semicond. Sci. Technol., 6, 1021 (1991)
W. Demmerle, J. Smoliner, G. Berthold, E. Gornik, G. Weimenn, W. Schlapp. Phys. Rev. B, 44, 3090 (1991)
E.E. Mendez, L.L. Chang. Surf. Sci., 229, 173 (1990)
J.P. Eisenstein, L.N. Pfeifer, K.W. West. Phys. Rev. Lett., 69, 3804 (1992)
K.M. Brown, N. Turner, J.T. Nicholls, E.H. Linfield, M. Pepper, D.A. Ritchie, G.A.C. Jones. Phys. Rev. B, 50, 15 465 (1994)
B. Deveaud, A. Chomette, F. Clerot, P. Auvray, R. Regreny, R. Ferreira, G. Bastard. Phys. Rev. B, 42, 7021 (1990)
T. Suski, J. Smoliner, C. Gschlobl, W. Demmerle, G. Bohm, G. Weimenn. Proc. 5th Int. Conf. High. Pressure in Semiconductor Physics. (Kyoto, 1992) [Jpn. J. Appl. Phys. 32, Suppl. 32--1, 138 (1993)]
G. Rainer, J. Smoliner, E. Gornik, G. Bohm, G. Weimann. Phys. Rev. B, 51, 17 642 (1995)
A. Nogaret, L.A. Cury, D.K. Maude, J.C. Portal, D.L. Sivco, A.Y. Cho, G. Hill. Semicond. Sci. Technol., 8, 1810 (1993)
Yu.V. Dubrovskii, Yu.N. Khanin, I.A. Larkin, S.V. Morozov. Phys. Rev. B, 50, 4897 (1994)
L. Eaves, B.R. Snel, D.K. Maude, P.S.S. Guimares, D.C. Taylor, F.W. Troombs. Proc. Int. Conf. on Physics of Semiconductors (Stockholm, World Scientific, 1986) p. 1615