"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Туннелирование электронов между двумерными электронными системами в гетероструктуре с одиночным легированным барьером
Попов В.Г.1, Дубровский Ю.В.1, Ханин Ю.Н.1, Вдовин Е.Е.1, Мауд Д.К.2, Портал Ж.-К.2, Андерссон Т.Г.3, Тордсон Ж.3
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Лаборатория сильных магнитных полей Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
3Физический факультет Чалмерского технологического университета, Гетеборг, Швеция
Поступила в редакцию: 6 августа 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Исследовано туннелирование электронов в гетероструктуре с одиночным легированным барьером. Анализ экспериментальных данных показал, что все особенности в туннельной проводимости связаны с туннелированием электронов между двумерными электронными слоями, которые возникают по разные стороны барьера вследствие ионизации примесей в барьере. При этом транспорт электронов между двумерными электронными слоями и трехмерными контактными областями не вносит существенных искажений в измеряемые туннельные характеристики. В таких структурах отсутствует ток вдоль двумерного электронного газа, который обычно затрудняет исследования туннелирования между двумерными электронными системами в магнитных полях.
  • H. Mizuta, T. Tanoue. The Physics and Applications of Resonant Tunnelling Diodes (Cambridge University Press, 1995)
  • P. Cheng, J.S. Harris, Jr. Appl. Phys. Lett., 55, 572 (1989)
  • M.L. Leadbeater, F.W. Sheard, L. Eaves. Semicond. Sci. Technol., 6, 1021 (1991)
  • W. Demmerle, J. Smoliner, G. Berthold, E. Gornik, G. Weimenn, W. Schlapp. Phys. Rev. B, 44, 3090 (1991)
  • E.E. Mendez, L.L. Chang. Surf. Sci., 229, 173 (1990)
  • J.P. Eisenstein, L.N. Pfeifer, K.W. West. Phys. Rev. Lett., 69, 3804 (1992)
  • K.M. Brown, N. Turner, J.T. Nicholls, E.H. Linfield, M. Pepper, D.A. Ritchie, G.A.C. Jones. Phys. Rev. B, 50, 15 465 (1994)
  • B. Deveaud, A. Chomette, F. Clerot, P. Auvray, R. Regreny, R. Ferreira, G. Bastard. Phys. Rev. B, 42, 7021 (1990)
  • T. Suski, J. Smoliner, C. Gschlobl, W. Demmerle, G. Bohm, G. Weimenn. Proc. 5th Int. Conf. High. Pressure in Semiconductor Physics. (Kyoto, 1992) [Jpn. J. Appl. Phys. 32, Suppl. 32--1, 138 (1993)]
  • G. Rainer, J. Smoliner, E. Gornik, G. Bohm, G. Weimann. Phys. Rev. B, 51, 17 642 (1995)
  • A. Nogaret, L.A. Cury, D.K. Maude, J.C. Portal, D.L. Sivco, A.Y. Cho, G. Hill. Semicond. Sci. Technol., 8, 1810 (1993)
  • Yu.V. Dubrovskii, Yu.N. Khanin, I.A. Larkin, S.V. Morozov. Phys. Rev. B, 50, 4897 (1994)
  • L. Eaves, B.R. Snel, D.K. Maude, P.S.S. Guimares, D.C. Taylor, F.W. Troombs. Proc. Int. Conf. on Physics of Semiconductors (Stockholm, World Scientific, 1986) p. 1615
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.