Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование структуры поверхности слоев диоксида олова для газовых сенсоров атомно-силовой микроскопией

Бестаев М.В.¹, Димитров Д.Ц.¹, Ильин А.Ю.², Мошников В.А.¹, Трэгер Ф.², Штиц Ф.²

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

²Университет Касселя (кафедра физики), Д- Кассель, Германия

Поступила в редакцию: 11 ноября 1997 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования с помощью атомно-силовой микроскопии слоев диоксида олова в зависимости от условий легирования йодом и теллуром в процессе получения слоев методом термического вакуумного напыления олова с последующим его окислением. Приведены и обсуждаются данные атомно-силовой микроскопии слоев, изготовленных в различных технологических режимах. Показано, что введение легколетучих примесей в состав исходной шихты является эффективным способом модификации структуры поверхности слоев и изменения характера ее микрорельефа. Исследована и анализируется температурная зависимость чувствительности слоев к парам толуола.

D. Kohl. Sensor and Actuators, 18, 71 (1989)
Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции (М., Наука, 1987)
Д.Е. Дышель. Неорг. матер. 32, N 1, 59 (1996)
C.S. Rastomjee, R.S. Dale, R.J. Schaffer, F.H. Jones, R.G. Egdell, G.C. Georgiadis, M.J. Lee, T.J. Tate, L.L. Cao. Thin Sol. Films, 279, 98 (1996)
A.S. Bakin, M.V. Bestaev, D.Tz. Dimitrov, V.A. Moshnikov, Yu.M. Tairov. Thin Sol. Films, 296, 168 (1997)
Б.А. Акимов, А.В. Албул, А.М. Гаськов, В.Ю. Ильин, М. Лабо, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова. ФТП, 31, 400 (1997)
R.S. Morrison. Sensor and Actuators, 12, 425 (1987)
Е.В. Андреева, А.Б. Зильберман, А.В. Махин, В.А. Мошников, Д.А. Яськов. ФТП, 1, 1095 (1993)
Н.И. Долотов, А.Б. Зильберман, А.В. Махин, В.А. Мошников, Д.А. Яськов. Неорг. матер., 30, N 1, 83 (1994)
R. Assenov, V.A. Moshnikov, D.A. Yaskov. Cryst. Res. Techn., 21, N 12, 1549 (1986)
Ю.Н. Андреев, М.В. Бестаев, Д.Ц. Димитров, В.А. Мошников, Ю.М. Таиров, Н.П. Ярославцев. ФТП, 7, 841 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель