Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Переход диэлектрик--металл под действием давления в сплавах Pb_1-xSn_xSe (x=<0.03), облученных электронами

Скипетров Е.П.¹, Зверева Е.А.¹, Ковалев Б.Б.¹, Скипетрова Л.А.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 11 августа 1997 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы гальваномагнитные эффекты (B=<7 Тл) в сплавах n- и p-Pb_1-xSn_xSe (x=<0.03), облученных электронами (T~300 K, E=6 МэВ, Phi=<5.7·10¹⁷ см^-2), в окрестности перехода диэлектрик-металл, индуцированного давлением (P=<18 кбар). В рамках двухзонной модели рассчитаны полевые зависимости коэффициента Холла, удовлетворительно согласующиеся с экспериментальными данными, и определены основные параметры носителей заряда в облученных сплавах. Показано, что в металлической фазе происходит увеличение концентрации дырок под действием давления, связанное с движением энергетических зон в точке L зоны Бриллюэна, и перетеканием электронов из валентной зоны в зону резонансных состояний E_t1, индуцированную электронным облучением; оценены параметры этой зоны.

Н.Б. Брандт, В.Н. Доропей, В.П. Дубков, Е.П. Скипетров. ФТП, 22, 1462 (1988)
Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров. ФНТ, 22, 870 (1996)
N.B. Brandt, B.B. Kovalev, E.P. Skipetrov. Proc. 4th Int. Conf. High Pressure in Semicond. Phys. (Thessaloniki, Greece, 1990) p. 170
N.B. Brandt, B.B. Kovalev, E.P. Skipetrov. Semicond. Sol. Technol., 6, 487 (1991)
П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1975) гл. 4, c. 274
Е.П. Скипетров, В.П. Дубков, А.М. Мусалитин, И.Н. Подскакалов. ФТП, 22, 1785 (1988).!! vadjust !!
J.O. Dimmock. The Physics of Semimetals and Narrow Gap Semiconductors, ed. by D.L. Carter and R.T. Bate (N.Y., Pergamon Press, 1971) p. 319
Н.Б. Брандт, Я.Г. Пономарев, Е.П. Скипетров. ФТТ, 29, 3233 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель