Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Теория переноса заряда в поликристаллических полупроводниках с глубокими примесными центрами

Дощанов К.М.¹

¹Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан Physicotechnical Institute, Research-and-Production Association “Physics–Sun”, Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

Physicotechnical Institute, Research-and-Production Association “Physics–Sun”, Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

Поступила в редакцию: 11 июня 1996 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследуются статические и динамические свойства переноса заряда через электрически активные границы зерен в поликристаллических полупроводниках с глубокими примесными центрами в объеме зерен. Вычисляется адмиттанс границы зерен как функция частоты и приложенного постоянного смещения U_b. При U_b# 0 адмиттанс контролируется главным образом процессами перезарядки межзеренных пограничных состояний и в незначительной мере перезарядкой глубоких ловушек в объеме полупроводника. Рассматривается приложение этой теории к спектроскопии межзеренных пограничных состояний.

J.Y.W. Seto. J. Appl. Phys., 46, 5247 (1975)
C.H. Seager, T.G. Castner. J. Appl. Phys., 49, 3879 (1978)
G.E. Pike, C.H. Seager. J. Appl. Phys., 50, 3414 (1979)
Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан. ФТП, 10, 1839 (1976)
Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, В.Н. Неменущий. ФТП, 12, 833 (1978)
N.C.C. Lu, L. Gergberg, C.Y. Lu, J.D. Meindl. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-30, 137 (1983)
G.C. McGonigal, D.J.S. Thomson, J.G. Shaw, H.C. Gard. Phys. Rev. B, 28, 5908 (1983)
S.N. Singh, R. Kishore, P.K. Singh. J. Appl. Phys., 57, 2793 (1985)
C.H. Seager, G.E. Pike. Appl.Phys. Lett., 37, 747 (1980)
G.E. Pike. Phys. Rev. B, 30, 795 (1984)
J. Werner, H. Strunk. J. Phys. C, 1, 89 (1982)
G. Blatter, F. Greuter. Phys. Rev. B, 33, 3952 (1987)
К.М. Дощанов. ФТП, 28, 692 (1994)
К.М. Дощанов. ФТП, 28, 1645 (1994)
А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир. 1977) с. 44

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель