"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование нелинейной динамики переноса в компенсированом полупроводнике при низкотемпературном электрическом пробое путем компьютерного моделирования
Джандиери К.М.1, Качлишвили В.С.1
1Тбилисский государственный университет, Факультет физики, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 12 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

Исследуется возможность хаотического поведения тока в частично компенсированном полупроводнике при низкотемпературном электрическом пробое путем компьютерного моделирования. Рассматривается влияние случайных флуктуаций параметров или же переменных математической модели, а также влияние каких-либо периодических наводок на плотность тока в полупроводнике. В результате получены различные картины хаотических колебаний тока, в том числе переход в хаотический режим через удвоение периода, характерное для сценария Фейгенбаума.
  • R.P. Huebener, J. Parisi, J. Feinke. Appl. Phys. A, 48, 107 (1989)
  • L.L. Golik, M.M. Gutman, V.E. Paskeev. Phys. St. Sol. (b), 162, 199 (1990)
  • E.Echoll. Appl. Phys., 48, 95 (1989)
  • Э.С. Качлишвили, И.Д. Кезерашвили. ФТП, 24, 1106 (1990)
  • В.В. Владимиров, В.Н. Горшков. ФТП, 14, 417 (1980); В.В. Владимиров, П.М. Головинский, В.Н. Горшков. ФТП, 15, 40 (1981); В.В. Владимиров, В.Н. Горшков, В.К. Малютенко. ФТП, 26, 1580 (1992)
  • K.M. Jandieri, Z.S. Kachlishvili. Bull. Georgian Acad. Sci., 154 (1), 61 (1996); 154 (2), 208 (1996)
  • Z.S. Kachlishvili. Phys. St. Sol. (b), 48, 65 (1971)
  • Т.О. Гегечкори, В.Г. Джакели. Сообщ. АН ГССР, 3, 565 (1981)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.