В спектрах фотолюминесценции короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs, легированных кремнием в барьерах или в ямах и барьерах, наряду с экситонной полосой обнаружена низкочастотная полоса, которую мы интерпретируем как донорно-акцепторную рекомбинацию на основании зависимости ее частоты от интенсивности возбуждающего света при непрерывном возбуждении и от времени задержки при импульсном возбуждении. Исследование проводилось в основном на структурах типа II. Из энергии максимума донорно-акцепторной полосы при очень малой интенсивности возбуждения можно оценить, что E_A+E_D~ 120 мэВ. Оценка по температурной зависимости интенсивности дает E_A~ 23 мэВ, E_D~ 90 мэВ. Высказанна гипотеза, что глубокий донорный уровень является DX-центром в слоях AlAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.