"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Модель фотоиндуцированной анизотропии в стеклообразных полупроводниках
Емельянова Е.В.1, Архипов В.И.1
1Московский государственный инженерно-физический институт (технический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.

Теоретически рассматривается модель фотоиндуцированной оптической анизотропии в аморфных полупроводниках. Изменение оптических характеристик образца связывается с фотогенерацией близнецовых электронно-дырочных пар. Если пары генерируются линейно поляризованным светом, то дипольные моменты близнецовых пар лежат главным образом в плоскости поляризации, что делает образец оптически анизотропным. Модель связывает оптическую анизотропию образца со средним квадратом проекции дипольного момента единицы объема на ось поляризации излучения < P2z>. Эволюция величины < P2z> определяется кинетикой дрейфа и рекомбинации носителей в близнецовых парах. Рассчитывается кинетика фотоиндуцированной анизотропии при непрерывном облучении образца и релаксация последней при импульсном воздействии поляризованного света.
  • В.И. Архипов, Е.В. Емельянова. ФТП, 28, 1776 (1994)
  • В.М. Любин, В.К. Тихомиров. ФТТ, 32, 1838 (1990)
  • А.М. Андриеш, В.В. Пономарь, В.Л. Смирнов, А.В. Миронос. Квант. электрон., 13, 1093 (1986)
  • Стеклообразные полупроводники для оптоэлектроники. Сб. под ред. А.М. Андриеша (Кишенев, Шниинца, 1991)
  • В.М. Любин, В.К. Тихомиров. Письма ЖТФ, 15, 29 (1989)
  • В.И. Архипов. ФТП, 20, 556 (1986)
  • V.I. Arkhipov, A.I. Rudenko. Phil. Mag. B, 45, 189 (1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.