Оптические свойства легированных кремнием слоев GaAs (100), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Мокеров В.Г.1, Федоров Ю.В.1, Гук А.В.1, Галиев Г.Б.1, Страхов В.А.1, Яременко Н.Г.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.
Исследованы спектры фотолюминесценции нелегированных и легированных кремнием слоев GaAs (100) при T=77 K. Выявлено, что наряду с B-полосой, соответствующей межзонной излучательной рекомбинации, в спектрах легированных слоев наблюдается так называемая Si-полоса, расположенная вблизи hnu~= 1.4 эВ, а в многослойных delta-легированных структурах в области hnu~= 1.47/ 1.48 эВ дополнительно появляется полоса, обозначенная здесь как delta-полоса. Изучены зависимости энергетического положения, интенсивности и формы полос фотолюминесценции от дозы легирования NSi, мощности лазерного возбуждения и температуры. Показано, что Si-полоса обусловлена оптическими переходами между зоной проводимости и глубоким акцепторным уровнем (~ 100 мэВ), связанным с атомами Si в узлах As. Установлено, что зависимости формы и интенсивности delta-полосы от температуры и мощности возбуждения фотолюминесценции оказались идентичными соответствующим зависимостям для B-полосы. Согласно предложенной интерпретации, проявления delta-полосы в спектрах фотолюминесценции связываются с эффектами размерного квантования в delta-легированных структурах.
- M. Kondo, C. Akayama, N. Okada, H. Sekiguchi, K. Domen, T.Tanahashi. J. Appl. Phys., 76, 914 (1994)
- S.S. Bose, B. Lee, M.H. Stilman. J. Appl. Phys., 63, 743 (1988)
- W.I. Wang, E.E. Mendez, T.S. Kuan, L. Esaki. J. Appl. Phys. Lett., 47, 826 (1985)
- A. Chin, P. Martin, P. Ho, J. Ballingall, Y. Yu, J. Mazurowski. Appl. Phys. Lett., 59, 1899 (1991)
- Y. Okano, H. Seto, H. Katakama, S. Sichine, I. Fujimoto, J. Suzuki. Jpn. J. Appl. Phys., 28, 151 (1989)
- S. Subbana, H. Kroemer, J. Merz. J. Appl. Phys., 59, 488 (1986)
- F. Piazza, L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Semicond. Sci, Technol., 7, 1504 (1992)
- L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Appl. Phys. Lett., 66, 2846 (1995)
- I.C.M. Henning, Y.A.R.R. Kessener, P.M. Koenraad, M.R. Leys, W. van de Vleuten, I.H. Wolter, A.M. Frens. Semicond. Sci. Technol., 6, 1079 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук