На примере системы пористый кремний (por-Si)--кремний (Si) показана возможность эффективного неразрушающего исследования морфологии границы раздела полупроводниковых слоистых систем, а также состава многокомпонентных слоев методами эллипсометрии и резерфордовского обратного рассеяния. Обоими методами определен процентный состав основных компонентов por-Si: кристаллического кремния, оксида кремния и пустот (пористость). Показано, что por-Si, полученный импульсным анодированием, содержит значительное количество оксида кремния. Показано также, что спектральная эллипсометрия позволяет определить удельное соотношение отдельных слоев или компонент многослойных и многокомпонентных систем (при знании спектральной дисперсии оптических констант этих компонент).
K.V. Shcheglov, C.M. Yang, K.J. Vahala, H.A. Atwate. Appl. Phys. Lett., 66, 745 (1995)
P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys. Lett., 66, 851 (1995)
D. Wang, J. Zuo, O. Zhang, Y. Luo, Y. Ruan, Z. Wang. J. Appl. Phys., 81, 1413 (1997)
S. Sathahiah, R.A. Zagraro, M.T.T. Pacheco, L.S. Grigorian, K. Yakushi. J. Appl. Phys., 81, 2400 (1997)
Р. Аззам, Н. Башара. Эллипсометрия и поляризованный свет (М., Мир, 1983)
В.В. Афросимов, Г.О. Дзюба, Р.Н. Ильин, М.П. Панов, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Е.А. Ганза. ЖТФ, 66, вып. 12, 76 (1996)
D.A.G. Bruggemann. Annalen der Physik, 24, 636 (1935)
D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 29, 985 (1983)
W.K. Chu, J. Majer, M.-A. Nickolet. Backscattering Spectrometry (Academic Press, N.Y., 1978)
Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели. Письма ЖТФ, 22, 97 (1996)
D.I. Kovalev, I.D. Yaroshetzkii, T. Muschik, V. Petrova-Koch, F. Koch. Appl. Phys. Lett., 64, 214 (1994)
C.H. Villeneuve, J.E. Peou, C. Levy-Clement, P. Allongue. Abstracts 191 ECS Meeting (Montreal, Canada, 1997) 97-1, p. 182