"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Новый центр рекомбинации в сильно легированном цинком арсениде галлия, полученном методом жидкофазной эпитаксии
Журавлев К.С.1, Шамирзаев Т.С.1, Якушева Н.А.1, Петренко И.П.1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 1988 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Исследованы фотолюминесцентные свойства слоев p-GaAs : Zn ориентации (100), выращенных методом жидкофазной эпитаксии из галлиевого и висмутового расплавов при разных температурах. Установлено, что в исследованных слоях образуется новый центр излучательной рекомбинации. Концентрация центров возрастает с повышением уровня легирования пропорционально концентрации дырок в степени 5.35±0.1, причем показатель степени не зависит от металла--растворителя и температуры эпитаксии. Экспериментальные результаты объяснены в предположении, что центр является электронейтральным комплексом, в состав которого входят галлий на месте мышьяка и две вакансии мышьяка.
  • G. Packeiser, H. Tews, P. Zwicknagl. J. Cryst. Growth, 107, 883 (1991)
  • Ю.Б. Болховитянов, Б.В. Морозов, А.Г. Паулиш, А.С. Суранов, А.С. Терехов, Е.Х. Хайри, С.В. Шевелев. Письма ЖТФ, 16, вып. 7, 25(1990)
  • E.W. Williams, H.B. Bebb. Semiconductors and Semimetals, ed. by R.K. Willardson (Academic Press, N.Y., 1972) v. 8, p. 336
  • В.Г. Погадаев, Н.А. Якушева. Электрон. техн., сер. 6, Материалы, вып. 5, 48 (1990)
  • K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich. Phys. St. Sol. (a), 29, 339 (1975)
  • А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 33, 427 (1981)
  • П.Л. Кукк. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 16, 1509 (1980).
  • K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich, V.E. Radionov, V.I. Vovnenko. Phys. St. Sol. (a), 49, 593 (1978)
  • C.J. Hwang. Phys. Rev., 180, 827 (1969).
  • M.G. Dowsett, E.A. Clark. In: Practical Surface Analysis, v. 2. Ion and Neutral Spertroscopy, ed. by D. Briggs and M.P. Seah (John Wiley\&Sons Ldt., 1992)
  • Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., 1969)
  • К.С. Журавлев, С.Ч. Чикичев, Р. Штаске, Н.А. Якушева. ФТП, 24, 1645 (1990)
  • Р.Х. Акчурин, И.О. Донская, С.И. Дулин, В.Б, Уфимцев. Кристаллография, 33, 464 (1988)
  • T. Kitano, H. Watanabe, J. Matsul. Appl. Phys. Lett., 54, 2201 (1989)
  • T.Y. Tan, S. Yu, U. Gosele. J. Appl. Phys., 70, 4823 (1991)
  • G. Bosker, N.A. Stolwijk, H.-G. Hettwer, A. Rucki, W. Jager, U. Sodervall. Phys. Rev. B, 52, 11 927 (1995)
  • J.F. Wager. J. Appl. Phys., 69, 3022 (1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.