Методом газофазной эпитаксии в открытой хлоридной системе выращены тонкие интерференционные слои n-GaN на подложках n- и p- GaP с ориентациями (100) и (111). Изучены спектры фоточувствительности анизотипных и изотипных гетеропереходов при наклонном падении линейно поляризованного излучения со стороны широкозонной компоненты. Обнаружена наведенная поляризационная фоточувствительность и обсуждаются ее особенности, обусловленные интерференцией излучения в слое нитрида галлия.
S. Nakamura, M. Sench, N. Iwasa, S. Nagahawa, T. Yamada, T. Mukai. Jpn. J. Appl. Phys., Pt. 2, 34, L1332 (1995)
S. Nakamura, M. Sench, Y. Nagahawa, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoko, Y. Sugimoto. Appl. Phys. Lett., 68, 3269 (1996)
Y.C. Yeo, T.C. Chong, M.F. Li. J. Appl. Phys., 83, 1429 (1998)
J.C. Carrano, T. Li, P.A. Greedwski, C.J. Eiting, R.D. Dupuis, J.C. Campbell. Appl. Phys. Lett., 72, 542 (1998)
С.Г. Конников, Д. Мелебаев, В.Ю. Рудь, М. Сергинов, С. Тилевов, Ж. Ханов. Письма в ЖТФ, 18, N 24, 11 (1992)
С.Г. Конников, Д. Мелебаев, В.Ю. Рудь, А. Беркелиев, М.Г. Дурдымурадова, О.В. Корнякова. Письма в ЖТФ, 19, 57 (1993)
S.G. Konnikov, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', D. Melebaev, A. Berkeliev, M. Serginov, S. Tilevov. Jpn. J. Appl. Phys., 32, Suppl. 32--3, 545 (1993)
Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 1921 (1996)
В.Ю. Рудь, М. Сергинов, С. Тилевов. Письма в ЖТФ, 18, 50 (1992)
С.Г. Конников, Д. Малебаев, В.Ю. Рудь, Л.М. Федоров. Письма в ЖТФ, 18, 11 (1992)
Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Л.М. Федоров. ФТП, 27, 1611 (1993)
А. Беркелиев, Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 28, 14 (1994)
Т. Вальтер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Г.В. Шок. ФТП, 31, 806 (1997)
В.М. Ботнарюк, А.В. Коваль, А.В. Симашкевич, Д.А. Щербан, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 800 (1997)
Selected Topis in Electronics and Systems, v. 4. Compound Semiconductor Electronics: The Age of Maturity, ed. by M. Shur (World Scientific, 1996)