Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Вольтъемкостное профилирование барьеров Шоттки Au / n-GaAs, содержащих слой самоорганизованных квантовых точек InAs

Брунков П.Н.¹, Суворова А.А.¹, Берт Н.А.¹, Ковш А.Р.¹, Жуков А.Е.¹, Егоров А.Ю.¹, Устинов В.М.¹, Цацульников А.Ф.¹, Леденцов Н.Н.¹, Копьев П.С.¹, Конников С.Г.¹, Ивс Л.², Майн П.С.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Физический факультет, Университет Ноттингема, NG7 2RD Ноттингем, Великобритания

Поступила в редакцию: 24 февраля 1998 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проводились вольтъемкостные исследования профиля распределения свободных носителей в однородно легированной матрице n-GaAs с барьером Шоттки на поверхности, содержащей слой самоорганизованных квантовых точек InAs. Установлено, что наблюдается аккумуляция электронов на глубине 0.54 мкм, совпадающей с геометрическим положением слоя квантовых точек. С понижением температуры измерения ниже 90 K в профиле появляется второй пик на глубине 0.61 мкм, который при дальнейшем понижении температуры становится доминирующим. Показано, что появление второго пика в профиле распределения свободных носителей не связано с перераспределением электронной плотности по глубине структуры и наблюдается в случае, когда темп термической эмиссии электронов из квантовых точек в зону проводимости GaAs становится значительно меньше угловой частоты измерительного сигнала емкости.

N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Richter, U. Goesele, J. Heydenreich. Sol. St. Electron., 40, 785 (1996)
N. Kristaedter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, U. Richter, P. Werner, U. Goesele, J. Heyndenreich. Electron. Lett., 30, 1416 (1994)
Ж.И. Алферов, Н.А. Берт, Ю.А. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, А.О. Косогов, И.Л. Крестников, Н.Н. Леденцов, А.В. Лунев, А.В. Сахаров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков, Д. Бимберг. ФТП, 30, 351 (1996)
K. Imamura, Y. Sugiyama, Y. Nakata, S. Muto, N. Yokoyama. Jpn. J. Appl. Phys., 34, L1445 (1995)
G. Yusa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 70, 345 (1997)
I.E. Itskevich, T. Ihn, A. Tornton, M. Henini, T.J. Foster, P. Moriarty, A. Nogaret, P.H. Beton, L. Eaves, P.C. Main. Phys. Rev B, 54, 16 401 (1996)
M. Narihiro, G. Yusa, Y. Nakamura, T. Noda, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 70, 105 (1997)
G. Medeiros-Ribeiro, D. Leonard, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 66, 1767 (1995)
S. Anand, N. Carlsson, M-E. Pistol, L. Samuelson, W. Seifert. Appl. Phys. Lett., 67, 3016 (1995)
П.Н. Брунков, С.Г. Конников, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев. ФТП, 30, 924 (1996)
P.N. Brounkov, N.N. Faleev, Yu.G. Misikhin, A.A. Suvorova, A.F. Tsatsul'nikov, V.M. Maximov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, S.G. Konnikov. The Physics of Semiconductors (World Scientific, Singapore, 1996) p. 1361
P.N. Brounkov, N.N. Faleev, Yu.G. Musikhin, A.A. Suvorova, A.F. Tsatsul'nikov, V.M. Maximov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, S.G. Konnikov. Inst. Phys. Conf. Ser. 155 (IOP, Bristol, 1997) p. 841
Ф.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов. ФТП, 28, 1439 (1994)
G.S. Solomon, J.A. Trezza, A.F. Marshall, J.S. Harris, Jr. Phys. Rev. Lett., 76, 952 (1996)
А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Н.А. Берт, А.О. Косогов, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 30, 1682 (1996)
P.N. Brounkov, T. Benyattou, G. Guillot. J. Appl. Phys., 80, 864 (1996).
I.E. Itskevich, M. Henini, H.A. Carmona, L. Eaves, P.C. Main, D.K. Maude, J.C. Portal. Appl. Phys. Lett., 70, 505 (1997)
P.N. Brounkov, A.A. Suvorova, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, A.E.Zhukov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, S.G. Konnikov, T. Ihn, S.T. Stoddart, L. Eaves, P.C. Main. Physica B (1998) (to be published).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель