Для получения высококачественных гетероструктур на основе ZnSe методом молекулярно-пучковой эпитаксии предложен режим управления молекулярными потоками, не требующий остановок роста на интерфейсах и реализующий концепцию компенсации разнополярных напряжений. С использованием разработанного метода выращены и исследованы лазерные структуры для оптической накачки, содержащие ZnSSe / ZnCdSe-короткопериодные сверхрешетки или множественные квантовые ямы. Применимость метода показана также для роста гетерострукутр, включающих халькогениды бериллия и содержащих их тройные твердые растворы. Продемонстрирована генерация при 300 K лазерного диода с BeZnSe / ZnSe-сверхрешеткой, используемой в качестве волноводной области.
S. Nakamura, M. Senoh, S. Hagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku. Appl. Phys. Lett., 70, 1417 (1997)
S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, M. Ikeda. Electron. Lett., 32, 552 (1996)
J.M. Gaines, R.R. Drenten, K.W. Haberern, T. Marshell, D. Mensz, J.Petruzzello. Appl. Phys. Lett., 62, 2462 (1993)
A. Waag, F. Fischer, K. Schull, T. Baron, H.-J. Lugauer, Th. Litz, U. Zehnder, W. Ossau, T. Gerhardt, M. Keim, G. Reuscher, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 70, 1 (1997)
E.S. Oh, S.D. Lee, H.D. Jung, J.R. Kim, M.D. Kim, B.J. Kim, J.K. Ji, H.S. Park, T.I. Kim, S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina. J. Appl. Phys., 80, 5951 (1996)
S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, P.S. Kop'ev, J.R. Kim, H.D. Jung, H.S. Park. J. Cryst. Growth, 159, 16 (1996)
T.V. Shubina, S.V. Ivanov, A.A. Toropov, G.N. Aliev, M.G. Tkatchman, S.V. Sorokin, N.D. Il'inskaya, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 184/185, 596 (1998)
D.C. Houghton, M. Davies, M. Dion. Appl. Phys. Lett., 64, 505 (1994)
B.J. Wu, L.H. Kuo, J.M. DePuydt, G.M. Haugen, M.A. Haase, L. Salamanca--Riba. Appl. Phys. Lett., 68, 379 (1996)
J.W. Matthews, A.S. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 47, 322 (1985)
A. Waag, Th. Litz, F. Fischer, H.-J. Lugauer, T. Baron, K. Schull, U. Zehnder, T. Gerhardt, U. Lunz, M. Keim, G. Reuscher, G. Landwehr. J. Cryst. Growth, 184/185, 1 (1998)
S.V. Ivanov, R.N. Kyutt, G.N. Mosina, L.M. Sorokin, S.V. Sorokin, P.S. Kop'ev. Proc. 23rd Int. Symp. on Compound Semicond. (St. Petersburg, 1996) [Inst. Phys. Conf. Ser. No. 155: Chapter 3, p. 223]
S. Sorokin, S. Ivanov, A. Toropov, T. Shubina, I. Sedova, M. Tkatchman, P. Kop'ev, Zh. Alferov. Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 1997) p. 206
S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, I.L. Krestnikov, N.N. Faleev, B.Ya. Ber, I.V. Sedova, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 184/185, 70 (1998)
A.A. Toropov, S.V. Inanov, T.V. Shubina, A.V. Lebedev, L.M. Sorokin, S.V. Sorokin, G.N. Aliev, M.G. Tkatchman, N.D. Il'inskaya, P.S. Kop'ev. Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 1997) p. 210