"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Модель перераспределения эрбия в процессе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации кремния
Александров О.В.1, Николаев Ю.А.1, Соболев Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.

Развита количественная модель перераспределения примесей редкоземельных элементов в процессе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации аморфизованных имплантацией слоев кремния. Параметрами модели являются коэффициент сегрегации примеси k и ширина переходного слоя. Перемещение фронта кристаллизации к поверхности сопровождается увеличением коэффициента сегрегации со скоростью, характеризующейся отношением толщины перекристаллизованного слоя к ширине переходного слоя. Увеличение k связывается с накоплением дефектов в переходном слое. В случае тонкого Er-содержащего аморфного слоя коэффициент сегрегации не достигает значений k=1, вследствие чего примесь оттесняется к поверхности. В случае более толстого Er-содержащего слоя коэффициент сегрегации превосходит значение k=1, препятствуя накоплению примеси вблизи поверхности.
  • Н.А. Соболев. ФТП, 29, 1153 (1995)
  • А.Ф. Вяткин. Поверхность, вып. 4, с. 5 (1991)
  • G.L. Olson, J.A. Roth. In.: Handbook of crystal growth, ed. by D.T.J. Hurle (1994) v. 3. p. 257
  • J.S. Custer, A. Polman, H.M. van Pinxteren. J. Appl. Phys., 75, 2809 (1994)
  • A. Polman, J.S. Custer, P.M. Zagwijn, A.M. Molenbroek, P.F.A. Alkemade. J. Appl. Phys., 81, 150 (1997)
  • A. Polman, J.S. Custer, E. Snoeks, G.N. van den Hoven. Appl. Phys. Lett., 62, 507 (1993)
  • D. Moutonnet, H. L'Haridon, P.N. Favennec, M. Salvi, M. Gauneau. Mater. Sci. Eng. B, 4, 75 (1989)
  • W.P. Gillin, Zhang Jingping, B.J. Sealy. Sol. St. Commun., 77, 907 (1991)
  • N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, Yu.A. Kudryavtsev, R.N. Kyutt, M.I. Makovijchuk, Yu.A. Nikolaev, E.O. Parshin, V.I. Sakharov, I.T. Serenkov, E.I. Shek, K.F. Shtel'makh. Sol. St. Phenomena, 57--58, 213 (1997)
  • В.Р. Реньян. Технология полупроводникового кремния (М., Металлургия, 1969)
  • Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов (М., Высш. шк., 1990)
  • А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Темкин. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскадах атомных столкновений в твердых телах (М., Энергоатомиздат, 1985).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.