Теоретически рассматриваются фотонные механизмы сдвигового и баллистического линейного фотогальванического эффекта в полупроводниках с вырожденной валентной зоной, обусловленные как сдвигом дырок в реальном пространстве при прямых оптических переходах между ветвями валентной зоны, так и асимметрией электрон-фононного взаимодействия с учетом фрелиховского электрон-фононного взаимодействия. Получены температурная и частотная зависимости фототока, результаты сравниваются с экспериментальными данными для p-GaAs. Рассчитаны коэффициент поглощения света, токи увлечения электронов фотонами и сдвиговый линейный фотогальванический эффект (СЛФГЭ) в кристаллах без центра инверсии, обусловленные прямыми оптическими переходами, сопровождаемые переворотом спина электронов. Учтены вклады в ток увлечения, возникающие при учете волнового вектора фотона не только в законе сохранения энергии, но и в законе сохранения импульса, а также при учете взаимодействия магнитного поля световой волны с магнитным моментом электронов. Рассчитан вклад изотропизации функции распределения фотоносителей в ток СЛФГЭ в полупроводниках со сложной валентной зоной и показано, что рассеяние фотоносителей на LO-фононах на каждой ступени каскадного процесса вносит вклад в ток.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.