Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние термического отжига на интенсивность полосы фотолюминесценции 1.54 мкм в легированном эрбием гидрогенизированном аморфном кремнии

Андреев А.А.¹, Воронков В.Б.¹, Голубев В.Г.¹, Медведев А.В.¹, Певцов А.Б.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 28 апреля 1998 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Легированные эрбием пленки a-Si : H получены магнетронным распылением мишени Si-Er при температуре осаждения 200^oC. Затем проведен кумулятивный термический отжиг. После отжига при 300^oC в течение 15 мин в атмосфере азота обнаружено резкое возрастание (в ~50 раз) интенсивности фотолюминесценции на длине волны 1.54 мкм. При температуре отжига <=500^oC сигнал фотолюминесценции спадал практически до нуля. Влияние процессов термического отжига обсуждается в рамках модели частичной перестройки структурной сетки аморфных пленок a-Si(Er) : H.

Rare Earth Doped Semiconductor II, ed by S. Coffa, A. Polman, and R.N. Schwartz [Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 422, 1(Pittsburgh, DA, 1996)]
A. Polman. J. Appl. Phys., 82, 1 (1997)
Н.А. Соболев. ФТП, 29, 1153 (1995)
M.S. Bresler, O.B. Gusev, V.Kh. Kudoyarova, A.N. Kuznetsov, P.E.Pak, E.I. Terukov, I.N. Yassievich, B.P. Zaharchenya. Appl. Phys. Lett., 67, 3599 (1995)
Е.И. Теруков, В.Х. Кудоярова, М.М. Мездрогина, В.Г. Голубев. ФТП, 30, 820 (1996)
J.H. Shin, R. Serna, G.N. Hoven, A. Polman, W.G.J.H.M. Sark, A.M. Vredenberg. Appl. Phys. Lett. 68, 997 (1996)
A.R. Zanatta, L.A.O. Nunes. Appl. Phys. Lett., 70, 511 (1997)
A.R. Zanatta, L.A.O. Nunes. Appl. Phys. Lett., 71, 3679 (1997)
В.Б. Воронков, В.Г. Голубев, Н.И. Горшков, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, Д.Н. Суглобов, Н.А. Феоктистов. Письма ЖТФ, 24, вып. 13, 8 (1998)
В.Б. Воронков, В.Г. Голубев, Н.И. Горшков, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, Д.Н. Суглобов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 40, 1433 (1998).
W. Beyer. In: Tetrahedally--Bonded Amorphous Semiconductors, ed. by D. Adler and H. Fritzsche (Plenum Press, N.Y., 1985) p. 129
W.B. Jackson, S.B. Zhang. In: Transport, Correlation and Structural Defects, ed by H. Fritzsche (World Scientific Publishing Company, Singapore, 1990) p. 63.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель